전자회로실험(MOSFET I-V 특성 예비보고서)

소개글

전자회로실험 MOSFET I-V 특성 예비보고서입니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 예비실험

본문내용

1. 실험목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다.
본 실험을 수행함으로써 실험자는 다음을 습득하게 된다.
N-채널 MOSFET의 특성을 이해한다.
트라이오드 영역과 포화영역을 이해한다.
드레인-소오스 사이의 채널 저항을 이용하려면 작은 드레인 전압이 필요하고 그 크기는 어느 정도인가에 대한 개념을 가지게 된다.
이론적으로 얻는 드레인-소오스 채널저항과 실험치를 비교한다.
포화영역에서 드레인-소오스 채널이 전류 소오스처럼 보이게 하려면 작은 와 compliance 전압이 필요함을 인식하게 된다.
포화영역에서 출력 저항이 드레인-소오스 채널을 비이상적인 전류 소오스로 인식하게 만든다.
실제 드레인-소오스의 트라이오드 영역에서의 On 저항 은 포화영역에서의 소신호 출력저항 와 구별된다는 것을 인식한다.
전류 소오스를 구성하는 전류 미러 회로 형성을 습득하고 전류미러가 동작하는 전압 범위를 이해한다.

참고 자료

없음