한기대 전자공학_전자회로실습 보고서모음(1~10)

소개글

한국기술교육대학교 전자공학 전자회로실습
결과보고서 모음입니다.

총 10개의 한글 파일로 되어있습니다.

목차

1. 2배전압회로 결과보고서
2. OP Amp의 offset 조정 결과보고서
3. 내부입력임피던스, slew rate 동상제거비 결과보고서
4. 무안정 멀티바이브레터 결과보고서
5. 미분기, 적분기 결과보고서
6. 비반전 비교기 삼각파발진기 결과보고서
7. 비반전 반전증폭기, 가산증폭기 결과보고서
8. 에미터 접지형 회로 결과보고서
9. 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로 보고서
10. 트랜지스터 회로의 바이어스 설계 결과보고서

본문내용

◆ 실험목적
트랜지스터를 이용한 소신호 교류 증폭기인 반전 증폭 회로의 특성을 이해하고, 이를 이용한 반전 증폭기와 반전 회로를 설계한다. 반전 증폭기회로를 이용한 실험을 통하여 이론 값과 실험 값을 비교한고 입력 및 출력임피던스와 전압이득을 구해본다.

< 중 략>

◇ R1(R _{B}), R2(R _{C})의 결정
I _{C} = {V _{CC} -`V _{CE}} over {R _{C}} = {6-3} over {R _{C}} `=`160mA
∴R _{C} = 18.85Ω 이므로 18Ω 저항을 사용
증폭효과를 시각적인 차이가 느껴질 수 있도록 저항(R _{B}, R _{C}) 값의 차이를 크게 두었다. 시뮬레이션 상으로는 1kΩ~10kΩ사이까지 측정해 본 결과 R _{B}= 2.3KΩ으로 두었을 때.
R _{C} = 18Ω과 더불어 가장 선명하게 나와서 설정 하였다. R _{B} = 2.3kΩ 으로 임의로 설정한 후, I _{B} = 1mA이므로 I _{B} = {V _{BB} -0.7} over {R _{B}}에 따라 V _{BB}가 약 3V에서 I _{B}가 1mA가 될 것을 예상

◆ 동작원리
The Common-Emitter Amplifier
전자분야에서 공통 에미터 증폭기는 전형적인 전압증폭기로서 세 가지 기본 BJT 접합 중 하나이다. 이 회로에서 트랜지스터는 기본 터미널의 입력, 콜렉터는 출력, 에미터는 입·출력을 담당한다.
(에미터를 GND나 Power Supply 선에 연결하는 두 가지 경우)
Emitter degeneration
에미터에 저항을 추가하면 이득은 감소하지만 선형성과 안정성이 증가한다. 또한 공통 에미터 증폭기는 반전된 출력을 주며 매우 높은 이득을 가질 수 있다. 이득은 온도와 전류 두 요소에서 강력한 영향을 끼치며 실제 이득은 다소 예측 불가능하다. 그리고 의도치 않은 positive feedback으로 인해 나타날 수 있는 안정성은 높은 이득은 또다른 문제가 된다. 회로와 관련된 다른 문제는 소신호의 제한에 의해 낮은 입력신호에서의 다이내믹레인지가 부과된다는 점이 있다. 만약 제한을 초과하게 된다면 높은 왜곡이 발생하며 트랜지스터는 소신호로 인해 동작을 하지 않을 수 있다.

참고 자료

없음

압축파일 내 파일목록

2배전압회로_결과보고서1.hwp
OP Amp의 offset조정_결과보고서6.hwp
내부입력임피던스, Slew Rate, 동상제거비_결과보고서7.hwp
무안정 멀티바이브레터_결과보고서5.hwp
미분기, 적분기_결과보고서9.hwp
비반전 비교기, 삼각파발진기_결과보고서10.hwp
비반전·반전증폭기, 가산 증폭기_결과보고서8.hwp
에미터 접지형 회로_결과보고서3.hwp
제너 다이오드를 이용한 정전압 회로_보고서2.hwp
트랜지스터 회로의 바이어스 설계_결과보고서4.hwp