8. MOSFET 기본특성(예비)

목차

1. 실험 주제 및 목적
2. 실험 이론
3. 실험 과정
4. PSpice를 이용한 실험 시뮬레이션
5. 참고 문헌

본문내용

소스단자가 접지된 상태에서 게이트 단자에 (+)전압이 인가될 경우 아랫방향으로 전기장이 형성돼 산화막 아래에 (-)영역이 형성된다. 이 영역에 전자가 충분히 모였을 때, 이것을 ‘채널’이라고 하는데, 채널이 형성되면 소스와 드레인 사이의 전압차에 의해 전류가 흐를 수 있게 된다.(PMOS의 경우 n형 기판에 p+로 도핑한 영역이 두 부분 존재하고, 게이트 단자에 (-)전압을 인가하여 채널을 형성한다.)
MOSFET 소자를 이용할 때 사용자가 원하는 동작은 게이트 전압에 따라 드레인에서 소스에 흐르는 전류량을 제어하는 것이다. 따라서 소스와 드레인 단자 이외의 단자로 전류가 흐르는 것을 방지해야 하는데, 게이트 단자는 산화막에 의해 절연되어 있기 때문에 전류가 흐르지 않고, 바디로 흐르는 전류만 차단하면 된다. 이것을 보장하기 위해 바디와 소스, 바디와 드레인 사이의 PN접합에 항상 역방향 바이어스가 걸리도록 바디를 접지시킨다.

참고 자료

이강윤, 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015
Sedra•Smith, 『Microelectronic Circuits』, Oxford Univ Pr ,2011