8. MOSFET 기본특성(결과)

목차

1. 실험결과
2. 결과 토의
3. 결론 및 정리
4. 참고문헌

본문내용

이번 실험은 저번 실험들과 비교해서 이론값에 매우 근접한 실험결과를 얻을 수 있었는데, 이것은 MOSFET이 BJT보다 덜 민감한 소자이기 때문에 실험 데이터를 얻는데 더 용이하다는 점(BJT에서는 가 지수적으로 증가하는 반면 MOSFET에서는 제곱의 형태로 증가하기 때문)과 반도체 소자를 이용한 실험을 여러번 진행하면서 터득한 실험진행 노하우 덕분이었다. 반도체 소자를 이용하여 실험을 진행할 경우 전압을 인가하면 반도체 소자에 굉장히 큰 열이 발생하는데, 이것에 의해서 측정값이 매우 다르게 나타난다. 따라서 회로에 전압을 인가하자마자 측정값을 측정하고, 실험가이드에 제시된 전압값이 아닌 다른 전압값을 인가하며, 반도체 소자에 열이 발생할 경우 다른 여유소자로 대체하면서 실험을 진행하면 더욱 정확한 측정값을 얻을 수 있다. 하지만 반도체 소자에 열이 발생하는 것은 굉장히 짧은 시간내에 이루어지고, 여전히 연결저항 등의 실험회로를 구성하는데 필연적으로 발생하는 방해요소들이 존재한다는 점에서 이론값에 근사한 실험결과를 얻는데 많은 어려움이 있다.

참고 자료

이강윤, 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015
Sedra•Smith, 『Microelectronic Circuits』, Oxford Univ Pr ,2011