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- 최초 등록일
- 2016.11.21
- 최종 저작일
- 2016.11
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목차
1. 실험결과
2. 결과 토의
3. 결론 및 정리
4. Reference
본문내용
이번 실험의 진행에서 PSPICE Simulation의 적극 운용을 통해 실험 진행과 값의 측정 과정마다 simulation 결과 값과 비교했다. 이는 즉각적인 피드백을 형성하고 오차의 원인을 줄여가는 과정이었다. 그로 인해 그래프의 개형과 전압값 등 측정값들은 simulation값과 비교했을 때, 전반적으로 10%의 범위를 벗어나지 않는 영역에 값들이 놓였다. 그러나 유독 큰 오차는 Transconductance의 값 계산에서 발생했는데 오차의 기준을 Datasheet에서 제공되는 값으로 두었을 때 그 차이는 2배 가까이 벌어지기도 했다. 원인에 대해서 고찰한 결과 첫 번째로, Transconductance 계산에 있어서 라는 대체적인 식을 사용했다는 점이 있다. 본질적으로 Drain 단자를 지나는 교류 소신호의 GS 교류전압에 대한 변화율을 측정할 수 없다는 현실적 한계로 인해서, 위의 대체식을 사용했는데 이는 Transconductance의 값을 실제와 다르게 하는 큰 요인으로 작용했다. 두 번째로, Gate에 전류가 흐른다는 점이다.
참고 자료
이강윤, 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015
Sedra•Smith, 『Microelectronic Circuits』, Oxford Univ Pr ,2011
윤석호 교수님, 전자회로1 강의 자료, 2015
http://pdf1.alldatasheet.co.kr/datasheet-pdf/view/33885/WTE/1N4004.html(Data sheet)