전자회로실험I - 실험 7. MOSFET 기본 특성 I 결과보고서

*태*

개인 판매자스토어

최초 등록일: 2017.04.02
최종 저작일: 2014.03; 6페이지/ 한컴오피스; 가격 2,000원

다운로드

장바구니

EasyAI가 새로운 문서 초안을 작성해 드립니다.
EasyAI란? 해피캠퍼스의 자료를 바탕으로 새로운 초안을 작성해주는 AI 서비스입니다.

지금 경험해 보기

상세정보
자료후기 (0)
자료문의 (0)
판매자정보

본문내용

2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET 기본 특성에 대해 알아보는 첫 번째 실험이었다.
- 실험순서 1)은 선형 커패시터에 대해 알아보는 실험이었다. 선형 커패시터의 상승 시간과 하강 시간을 측정하고, =2.2RC를 이용하여 시간정수 및 커패시턴스의 값을 구하는 실험이었다. 먼저 커패시터는 선형성을 갖고 있기 때문에 상승 시간과 하강 시간에 있어 같은 값이 나와야한다. 실험을 통해 =48.00μs, =48.00μs 같은 값이 나온다는 것을 확인할 수 있다. 그리고 이를 통해 시간정수 RC를 계산해보면, 이 나온다. 그리고 위의 식을 이용하여 C값을 구해보면 으로 실제 실험에 사용한 100pF보다 118pF이 더 높게 나타났다.

참고 자료

없음

환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류	중복자료	저작권 없음	설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우	다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함)	인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우	자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

이런 노하우도 있어요!더보기

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

[전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서 5페이지

결과보고서MOSFET 기본 특성실험 결과이번 실험에서는 NMOS의 경우에만 ... 결과보고서 MOSFET 기본 특성 > ... 측정 결과는 [표 7-3]과 같다[표 7-3]수식입니다.I_D-수식입니다.V_DS특성
아주대학교 전자회로실험 설계2 CMOS 증폭단 설계 결과보고서 8페이지

CMOS 증폭단 설계 결과보고서전자공학도의 윤리 강령 (IEEE Code ... 설계 1은 기본적인 MOSFET 특성에 대해서 알아보는 실험으로V _{DS ... 실험과정 및 결과1) MOSFET 특성측정a.
전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서 13페이지

예비 보고서실험 11_공통 소오스 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-이 ... 캡처하여 [그림 11-10]과 같은 형태로 결과 보고서에 기록하시오. ... 이 때 입력 파형캡처하여 [그림 11-11]과 같은 형태로 결과 보고서에
전자공학실험 20장 차동 증폭기 기초 실험 A+ 예비보고서 13페이지

예비 보고서실험 20_차동 증폭기 기초 실험과 목 명:전자공학실험1 실험 ... V _{A2}} RIGHT ) (20.2)차동 쌍의 기본 특성두 개의 동일한 ... [그림 20-7(a)]의 차동 증폭기의 소신호 등가회로이다.
전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서 11페이지

예비 보고서실험 13_공통 게이트 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요 ... ]와 같은 형태로 결과 보고서에 기록하시오.입력 신호의크기(mV)입력 신호의 ... -[실험 11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지
전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서 6페이지

예비 보고서실험 05_BJT 바이어스 회로과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-BJT를 ... ([그림 5-7])에서 PSpice를 이용하여V_BB=4V,I_C=I_E= ... [그림 5-2]는 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로이다.
실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서 8페이지

결과 보고서실험 09_MOSFET 기본 특성제 출 일:과 목 명:담당교수: ... 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 ... [표 9-7] - 특성 확인을 위한 측정 데이터(측정 값)V _{eqalign
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 결과보고서4 MOSFET 소자 특성 측정 6페이지

전자회로 설계 및 실습결과보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 ... 실험결과우선 미리 설계한 MOSFET 회로도를 breadboard에 구현하여 ... 꼭 익히고 숙달되어야 할 소자이다.이번 실험은 MOSTFET 소자의 기본적인
전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서 23페이지

예비 보고서실험 15_다단 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-[실험 ... ]와 같은 형태로 결과 보고서 영역IDgmro동작 영역IDgmro포화0.753m6.024m6.98k포화0.523m4.18m7.53k입력 ... 11], [실험 12], [실험 13]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인
전자회로실험I - 실험 9. MOSFET I-V 특성 예비보고서 11페이지

*예비보고서*실험 제목실험 9. MOSFET I-V 특성조3조1. ... 실험 I : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정1) 과 같이 회로를 구성한다 ... _{DS(S)}이다.회로 구성< 시뮬레이션 결과 >- 교재에 있는 I-V
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서 7페이지

결과 보고서실험 12_소오스 팔로워과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-[실험 ... 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다.2 실험 절차 및 결과 보고1실험회로 ... 보고서에 기록하시오.입력신호-출력신호의 파형입력신호의 측정값출력 신호의
공통 소오스 증폭기 15페이지

전자회로실험 예비보고서 #6실험 6. 공통 소오스 증폭기1. ... =7.813Ω(4) 실험회로 1에 제시된 공통 소오스 증폭기의 전압 이득 ... [그림 9-7]의 바이어스 회로를 포함한 완성된 공통 소오스 증폭기 회로이다
소오스 팔로워와 공통 게이트 증폭기 16페이지

전자회로실험 예비보고서 #7실험 10. ... 실험 개요MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중, 소오스 팔로워와 ... 보고서에 기록하시오.- 예비보고사항 (1),(2)와 같다.
(전자회로실험)bjt 바이어스 회로 레포트 9페이지

전자회로실험 보고서 #5실험 5. BJT 바이어스 회로1. ... ) 실험회로 2([그림5-7])에서 VBB 값이 4V, RBB 저항값이 2KOHM ... BJT, MOSFET 소자에서 기본적으로 활용되는 아주 중요한 부분이니다
전자회로실험) ch.15 다단증폭기 예비보고서 8페이지

참고자료단계별로 배우는 전자회로실험마이크로 전자회로7. pspice- 2단 ... 정 현파의 입력 전압을 인 형태로 결과 보고서에 기록하시오.4. ... ]과 같은 형태로 결과 보고서에 기록전압을 변화시키면서 흘러 들어가는 DC
전자회로실험 설계 예비보고서2 CMOS 증폭단 설계 CMOS Amplifier Circuit 7페이지

전자회로실험 설계 예비보고서2 CMOS 증폭단 설계 CMOS Amplifier ... 예상 결과1) MOSFET 특성 측정V_GS``[V`]I_DS``[muA] ... 설계 검증 내용1) MOSFET 특성 측정a) CMOS array를 사용하여