[전자회로실험 예비레포트]공통 소스 트랜지스터 증폭기
- 최초 등록일
- 2017.06.10
- 최종 저작일
- 2015.03
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목차
1. 실험
2. 목적
3. 실험장비
4. 내용
1) FET란? (Field Effect Transistor)
2) FET 증폭기
3) gm ( 트랜스컨덕턴스;transconductance )
4) 공통 소스 자기 바이어스(self-bias) 회로
본문내용
실험5
공통 소스 트랜지스터 증폭기
목적
1. 공통 소스 증폭기의 직류와 교류 전압을 측정한다.
2. 전압 이득(Av), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(Zo)를 측정한다.
실험장비
계측기
오실로스코프, DMM, 함수 발생기, 직류전원
부품
저항 510Ω, 1kΩ, 2.4kΩ, 10kΩ, 1MΩ / 커패시터 15㎌, 100㎌트랜지스터 2N3904
내용
▣ FET란? (Field Effect Transistor)
- FET는 전개효과(Field Effect)의 트랜지스터이며, 작은 입력(게이트 전압)전압으로 출력(드레인) 전류를 제어. 즉, 전압 제어형(voltage-controlled)소자.
▣ FET 증폭기
- 입력 임피던스가 높고 동시에 전압 이득이 뛰어남.
- 소형, 경량, 넓은 주파수 범위, 저전력 소비 구조를 가짐.
- 증폭기 회로 종류 : 공통 소스회로, 공통 드레인회로, 공통 게이트회로
참고 자료
http://en.wikipedia.org/wiki/JFET
https://www.sonoma.edu/users/m/marivani/es231/units/experiment_07_2.shtml
전자회로실험 제10판, PEARSON, Rober L.. Boylestad 외2명
전자회로 제11판, PEARSON, Boylestad, Nashelsky