CVD method 예비

목차

1. 실험제목
2. 실험날짜 및 시간
3. 이름
4. 실험목적
5. 실험원리
6. 실험기구 및 시약
7. 실험방법

본문내용

① Nanowires
■ 나노와이어(나노끈)는 나노미터 단위의 크기를 가지는 와이어 구조체.
■ 대체로 10 nm 미만의 지름을 가지는 것에서부터 수백 nm 지름의 나노와이어를 포함해서 일컬으며, 길이 방향으로는 특별히 크기의 제한이 없다. (양자와이어)
■ 금속성(Ni, Pt, Au등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO등), 절연성(SiO2, TiO2등)의 많은 종류의 나노와이어가 존재.
■ 레이저나 트랜지스터, 메모리, 화학감지용 센서 등 다양한 분야쓰임. 소재는 반도체 실리콘이나 화학적으로 민감한 주석 산화물, 발광반도체인 갈륨질화물 등이다.

- ZnO NWs의 성질
■ Wide-band gap semiconductor
■ blue/UV LED and LD.
■ High exciton binding energy > room temperature energy.
■ Nontoxic(무독성).
■ Durable(내구성이 좋음).
■ Inexpensive(값이 저렴함).
■ Lasing 380 nm -400 nm.

② CVD(chemical vapor deposition)-화학적 기상 증착.
박막증착 방법 중에서 무엇보다도 CVD (Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피 층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광 에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다.

참고 자료

없음