CMOS 증폭단 설계 예비

*성*

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실험목적
○ CMOS 증폭단 회로를 스스로 설계하고 제작, 실험을 함으로써, 실험 설계에 대해 익숙해진다.

실험이론
○ MOSFET
: MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로서, 전기로 작동하는 스위치 또는 증폭기이다.

왼쪽 그림은 금속과 반도체 사이에 유전체를 넣은 것이다. 금속에 마이너스 전압을 인가하면 금속의 길이만큼의 반도체에는 플러스 전하가 쌓이게 된다. 따라서 그림의 p-type 반도체의 윗부분은 플러스 전하가 모여 더 강한 p-type의 특성을 가지게 된다. 금속은 Metal, 유전체는 Oxide, p-type 반도체는 Semiconductor로서, 각각 M, O, S의 영역이라 한다. 다시 말하면 금속은 Gate, p-type 반도체에서 Gate 양쪽 옆 영역을 n-type으로 도핑하여 각각 Source와 Drain이라고 한다.

참고 자료

"CD4007", Alldatasheet, 2016.05.25.,
(http://pdf1.alldatasheet.co.kr/datasheet-pdf/view/50835/FAIRCHILD/CD4007.html)
- “MOSFET”, 네이버블로그, 2016.05.25.,(http://blog.naver.com/tnalsdl326/220488666147)

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