일반물리학실험 - 반도체 정류회로 결과레포트

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 원리 :
4. 실험준비물 :
5. 실험 방법 :
6. 실험결과
7. 결론 및 고찰

본문내용

실험 제목 : 반도체 정류회로
실험 목적 : p-n접합형 반도체다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 정류회로의 제작을 통하여 정류회로를 이해하고 특성을 관찰한다.
실험 원리 :
교류전원을 직류전원으로 바꾸어 주는 회로를 정류회로라고 한다.
P-n 접합형 반도체다이오드는 그림에서 보는 바와 같이 순방향 전압방향으로만 전류를 흐르게 한다. 이러한 다이오드의 성질을 이용하여 정류회로를 구성한다. 정류회로는 정류파형에 따라 반파정류와 전파정류로 구분 지을 수 있다.
반파 정류 회로 :
그림 (a)와 같은 회로에서 교류전압발생기에서 출력되는 정현파를 다이오드에서 양의 반주기 동안은 통과시키고 음의 반주기 동안은 역바이어스되어 차단되므로 반파정류로 되어 그림19-2(b)와 같은 출력파형의 반파 전압만이 부하저항 에 걸리게 된다.

전파 정류 회로 :
브리지 정류회로는 그림 19-3(a)와 같이 네개의 다이오드를 사용하여 정현파의 양의 반주기 입력시 순서로 흐르며 음의 반주기 입력시에는 의 순서대로 흐른다. 이때 부하저항 R에 걸리는 출력파형은 19-3(b)와 같다.

참고 자료

없음