6.트랜지스터 스위칭회로 A+보고서

소개글

1. 목적

(1) 트랜지스터에 대해 숙지하고, 트랜지스터 전압을 측정해본다.
(2) 스위칭 동작, 부하선, Q점(동작점)에 대해 이해한다.
(3) Vin, VCE(Vout)의 파형을 관찰한다.

목차

1.목적
2.이론
3.설계
4.실험
5.결과

본문내용

1. 목적

(1) 트랜지스터에 대해 숙지하고, 트랜지스터 전압을 측정해본다.
(2) 스위칭 동작, 부하선, Q점(동작점)에 대해 이해한다.
(3) Vin, VCE(Vout)의 파형을 관찰한다.

2. 이론

(1) 트랜지스터(TR) :

트랜지스터는 규소나 저마늄으로 만들어진 P형반도체와 N형반도체를 세 개의 층으로 접합하여 만들어진다.
E(emitter)로 표시되는 이미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다.
접합의 순서에 따라 PNP형 혹은 NPN형 트랜지스터라 명명한다. NPN형인 경우 전류는 이미터 쪽으로 흐르고 PNP형인 경우 이미터에서 나가는 방향으로 전류가 흐른다.
이를 전자회로의 기호표기에서 전류방향을 화살표로 나타낸다.

트랜지스터의 전원 연결은 이미터 쪽에 그려진 화살표 방향으로 전류의 방향이 되도록 연결한다.
기본적으로 PN접합이 양쪽에 있는 형태이므로 다이오드에서와 같이 접합면에서 전자의 확산에 의해 공핍층이 생기고 결과로 공핍층 전기장이 생겨 더 이상의 전자의 확산을 막게 된다.

참고 자료

없음