반도체 다이오드 제너 다이오드의 로우딩 결과보고서

목차

Ⅰ. 반도체다이오드
1. 참고 문헌
2. 시뮬레이션 결과

Ⅱ. 제너 다이오드의 로우딩
1. 참고 문헌
2. 시뮬레이션 결과

Ⅲ. 실험 고찰

본문내용

실험 고찰
3학년 첫 학기 첫 실험인 만큼 어려운 실험은 아니었다.
먼저 반도체 다이오드의 첫 번째 실험에서는 순방향 바이어스 경우의 회로를 실험하였는데 일반적인 다이오드의 특성을 실험하는 것 같았다. 순방향에서의 전류 흐름과 다이오드 양단의 전압에 관한 특성을 실험했고, 그것을 바탕으로 다이오드에 흐르는 전류 값을 계산하여 구할 수 있었다. 우리가 알고 있던 다이오드 양단에 걸리는 전압, 약 0.6(V)의 이론값과 실험으로 통해 얻은 값 사이에 오차가 발생했지만 이는 많은 외부적, 환경적 요인에 의해 발생한 오차 같다. 이 실험을 통해 반도체 다이오드에 대해 기본적인 특성을 파악할 수 있었다.
반도체 다이오드에 관한 두 번째 실험으로 순방향 특성곡선에 대한 실험을 하였다. 이 실험에서는 가변저항을 이용하여 Vin의 값을 구할 수 있었다.

참고 자료

전자통신 기초실험(상학당) p143~p152
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