실험10. 반도체 메모리 실험예비보고서

목차

1. 이 론
2. 실험 예비 보고
3. 실험 방법 및 순서

본문내용

◎ 이 론
반도체 메모리는 ROM과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM으로 나뉜다. ROM은 READ ONLY MEMORY의 약자로 기억된 정보를 단지 읽어낼 수만 있는 메모리지만 기술 발전으로 ROM도 점차 기록이 가능한 방향으로 발전하였다. ROM이 자유로이 기록 가능한 RAM과 다른 점은 전원이 차단되더라도 데이터가 그대로 보존된다는 점인데 이런 성질의 메모리를 따로 비휘발성 메모리라고 부른다. RAM은 RANDOM ACCESS MEMORY의 약자로 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리이지만, 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워져 버리는 단점이 있다. 이렇게 기록된 내용이 전원이 차단됨과 동시에 휘발유처럼 날아가 버린다고 하여 RAM을 휘발성 메모리라고 부르기도 한다. 따라서 램은 컴퓨터의 주기억장치, 응용프로그램의 일시 적 로딩, 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다. RAM 역시 크게 두 가지 메모리로 구분이 되는데, SRAM과 DRAM이다. SRAM은 데이터 기록 속도가 매우 빨라 CPU의 캐시 메모리로 이용되고, DRAM은 속도는 다소 느리지만 저비용으로 대용량의 메모리를 만들 수 있다. 이번실험은 SRAM에 대한 실험이므로 SRAM에 관해서만 조사하겠다. SRAM은 STATIC RAM의 약자다.  SRAM의 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개의 트랜지스터로 구성되어 있다. 이렇게 트랜지스터로 기억소자를 구성하고 있기 때문에 전원이 차단되지 않으면 기록된 데이터가 지워지지 않고 속도가 매우 빠르다. 하지만 회로가 복잡하여 집적도가 낮다. 따라서 SRAM은 빠른 속도의 CPU와 연동되는 캐시 메모리로 주로 사용된다. 때로 모바일 장치나 중대형 이상의 컴퓨터들 같이 고속의 메모리를 요구하는 컴퓨터의 주기억 장치로 사용되기도 한다. RAM에는 이외에도 여러 칩 중에서 RAM만을 선택시키는데 필요한 칩 선택선이 있고, 기입할 것인지 판독할 것인지를 결정하는데 필요한 WE이라는 제어선이 있다.

참고 자료

없음