[한양대 Erica 기초회로실험 17년도 A+] Thevenin의 정리

목차

1. 관련 이론(Theoretical Background)
2. 결론 및 Discussion

본문내용

R1, R2, R3, RL는 각각 2.27%, 1.48%, 0.30%, 2.0%로 0~2.5% 사이의 오차율로 측정되었다. 이는 저번 실험과 마찬가지로 저항의 새겨진 오차 범위가 가장 유력한 원인으로 생각된다. 첫 번째 회로를 구성 한 후 저항의 직, 병렬연결 공식을 이용하여 계산한 VTh, RTh 값과 실제로 측정한 값이 공통적으로 측정된 값이 약간의 차이가 있었다. Vth의 값에 경우는 1.46%의 오차율을, Rth의 경우에는 0.84%의 오차율을 보여주었다. 이 오차율 역시 위에서 측정한 저항값의 오차율 범위에 속하였고(저항의 오차 범위에 의한 오차로 생각된다.) 그 오차율도 1%가 되지 않는 작은 값이므로 실제 회로에 적용하여도 크게 문제 되지 않을 것으로 사료된다. 테브난 등가회로로 바꾸어서 측정한 VL의 값도 측정값과 계산 값이 각각 0.58V, 0.583V, 0.587V로 각각 0.5%, 1.2% 의 오차율을 보여주었다. 이 역시 오차 범위 내의 작은 값이므로 크게 문제없다고 생각된다.
두 번째 실험에서는 좀 더 저항이 많은 복잡한 회로를 다루었다. 이 회로에서는 전압의 분배법칙, KCL 전류 법칙을 이용하여 각 저항에 걸리는 미지 전압을 계산함으로써 Vth를 구하는 방식으로 계산을 하였다.
이 실험에서 결과적으로 측정된 Vth 계산 값과 Rth의 계산 값이 측정값과 1.47%, 1.14%의 오차율을 보여주었다. 역시 각 저항의 오차 범위 내의 오차 범위였으므로 실험에 다른 문제는 없었다고 생각하였다. 또한 두 번의 테브난의 정리의 적용과 값 일치로 테브난 정리의 적용이 회로에 문제를 발생시키지 않음을 어느 정도 직감할 수 있었다.
세 번째 실험에서는 회로의 동일성은 유지하되 좀 더 알아보기 쉽게 변형시킨 후 저항의 직, 병렬연결 공식을 이용해 저항을 단순화 시켜 계산을 진행 하였다. 회로의 변형의 결과로
저항 두개가 병렬로 이어진 회로 2개의 직렬연결로 되어 있는 회로가 완성이 되었으며, 각 저항 R1, R2의 병렬연결로 1.46k 옴 그리고 R3, R4의 병렬연결로 1.30k 옴으로 각각의 저항값을 얻었다.

참고 자료

없음