패터닝 결과보고서

목차

1. Experimental details
2. Result and discussion
3. Conclusion
4. Process problem

본문내용

1) 실험에 사용된 재료
①Patterning이 완료된 SiO2 wafer : Si wafer위에 산화를 시킨뒤 Lithography 공정을 실시하는데(PR을 도포시키는 공정) 이 단계까지 완료된 판을 말한다. 이번 실험에서는 Etching과 Ashing공정을 Patterning이 완료된 SiO2 wafer에서 진행한다.
② Etching gas(Ar, C2F6, O2)
- Ar : Etching 공정 중 바이어스를 가하게 되면 직선으로 떨어지게 된다.
- C2F6 : 이는 라디칼이 생겨 Etching 공정 중 직선으로 떨어지지 않고 자유운동으로 Ar이 물질을 잘 떨어뜨릴 수 있도록 도와준다. 이는 재증착이 일어나지 않도록 한다.
- O2 : Ashing 공정 중 모든 부분을 골고루 깎아내어 PR을 제거하는 과정 중 쓰인다.

2) 사용한 실험장비
① 표면 코팅 및 식각 장치 (Sam Han Vacuum Development)
- 이번 실험에서 Etching 공정과 Ashing 공정을 실시한 장치이다. 이는 시료가 위치해있어 진공상태와 모든 Etching, Ashing 공정이 일어나는 원통형 부분과 모든 공정단계에서의 기체 주입 및 압력 조절, 전원 및 전압 조절을 위한 Control 장치로 이루어져 있다. 모식도는 아래와 같고, 식각장치의 경우 관찰용 유리를 통해 실제로 식각되는 과정을 눈으로 관찰할 수 있다. Flow System의 경우 주입되는 기체의 압력 및 종류를 조절할 수 있는데 이번 실험에서는 Ar, C2F6, O2를 이용하므로 이 세 기체에 관한 압력을 조절하고 장치 내부의 압력의 수치를 확인할 수 있는 부분이다. 가스 주입 밸브 부분은 Ar, C2F6, O2가 주입되는 밸브의 전원을 켜고 열려있는지 닫혀있는지를 확인할 수 있는 부분이다. 전원 부분은 장치의 전원을 켜고 끌 수 있는 부분이고, Generator 부분은 식각단계에서 인가되는 전압을 조절할 수 있는 부분이다.

참고 자료

없음