Photolithography 공정의 이해

목차

1. 실험 목표
2. 실험 내용
3. 실험 과정
4. 실험 결과

본문내용

1. 실험 목표
자외선 램프를 이용한 photolithography 공정의 원리를 이해하고, μm 수준의 미세한 패턴을 균일하게 형성할 수 있다.

2. 실험 내용
감광성물질인 PR (photo resist) 을 기판 표면 상에 균일하게 도포하고, 이를 노광, 현상 공정을 통해 직경 3 μm 수준의 미세 패턴을 구현한다. 또한, 추후 wet etching 공정을 통해, Ni 박막의 패터닝을 통한 CNT 의 성장을 위한 기판을 준비한다.

3. 실험 과정
1. 실리콘 웨이퍼에 PR을 도핑하기 전에 Particle을 없애기 위해서 클리닝을 진행한다. 아세톤으로 클리닝을 해 주고 IPA로 잔여물을 세척한다.
2. Patterning을 진행하기 전에 실리콘 웨이퍼 위에 PR을 도포해 준다. 핀쿼터를 이용해서 3 Step으로 진행되는데 동심원으로 스핀쿼터가 진행되기 때문에 진공을 이용해서 웨이퍼를 잡아준다.
3. PR 도포가 끝났으면 PR내 Solvent를 제거하고 Exposure에 적합한 점도를 위해 10도에서 15분간 Soft baking을 진행한다.

참고 자료

LGD 디스플레이기술 강의교재 및 참고자료
광공학실험_박규창 교수님 PPT