회로이론 - 접합 다이오드의 특성

목차

1. 제목
2. 이론 및 관련 원리
3. 실험회로 구성 및 설명
4. 결과 분석 및 토의

본문내용

Ⅰ. 접합 다이오드
- pnp 접합다이오드는 p형의 반도체 물질 속에 더 높은 농도의 n형 물질을 도핑 시켜서 얻어지거나 n형 반도체 물질 속에 고농도의 p형 물질을 도핑 시켜 얻어진다.
- 반도체 소자
- 저항률은 도체와 절연체 사이에 존재
- Ge 원소를 사용하는 다이오드 존재
- Si 원소를 사용하는 다이오드 존재
- 순도 99.999999% 이상유지, 순도 율이 높은 반도체를 진성 반도체라고 한다.
- 상온에서 도전율이 낮음
- 불순물 첨가 반도체
p형 반도체 다이오드(3가 원소를 불순물로 첨가 : B, Ga, In)
n형 반도체 다이오드(5가 원소를 불순물로 첨가 : Sb, P, As)
- 케리어 : 반도체에서 전류를 운반하는 케리어는 자유전자와 정공이 있다.
두 가지 케리어 가운데 많이 있는 캐리어를 다수캐리어, 적게 있는 케리어는 소수 케리어라고 한다.
- 온도가 증가하면 열에너지로 인해 자유캐리어가 증가되어 도전율이 증가 되고 저항률이 감소한다.

참고 자료

없음