[반도체 공정 A+] MOSFET 공정 이슈 정리 레포트
- 최초 등록일
- 2018.12.07
- 최종 저작일
- 2018.12
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목차
1. Short Channel Effect (SCE)
2. DIBL (Drain Induced Barrier Lowering)
3. GIDL (Gate Induced Drain Leakage)
4. Reverse Short Channel Effect (RSCE)
5. Narrow Width Effect (NWE)
6. Inverse Narrow Width Effect (INWE)
참고문헌
본문내용
• Short Channel Effect (SCE)
SCE는 무어의 법칙에 따라서 MOSFET 디바이스가 Scaling-down 되면서 채널 길이가 짧아지면서 나타나는 현상을 의미한다. 채널 길이가 감소하면 동작 속도나 필요한 부품의 수가 증가하는 효과를 가져온다. SCE는 채널에서의 전자 drft 특성의 한계를 가져오고 문턱 전압의 변화를 가져오는 물리적 현상에 기인한다. 이러한 SCE를 다섯 가지로 나눌 수 있다.
- Surface scattering
전하 캐리어의 속도는 캐리어의 이동도와 채널에 따른 전계의 곱에 의해 정의된다. 캐리어가 채널을 따라서 이동할 때, 게이트 전압에 의한 전계에 의해 표면으로 빠져나간다. 결과적으로 지그재그의 경로를 따라 이동 중에 표면에 충돌하거나 빠져나간다. 이는 bulk 영역의 이동도와 비교했을 때, 캐리어의 표면 이동도를 매우 감소시킨다. 이러한 캐리어의 이동도 변화는 트랜지스터의 I-V 관계에 영향을 미친다.
참고 자료
http://www0.cs.ucl.ac.uk/staff/ucacdxq/projects/vlsi/report.pdf
http://www.onmyphd.com/?p=mosfet.short.channel.effects
https://m.blog.naver.com/dia830/220236664351
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=narabaljeon&logNo=220718012527&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.com%2F
https://en.wikipedia.org/wiki/Reverse_short-channel_effect
quanta.hanyang.ac.kr/Lecture/2011_2/Chapter%206.ppt
http://nptel.ac.in/courses/117101058/downloads/Lec-8.pdf
http://ekim616.blogspot.kr/2015/04/device-physics.html#!/2015/04/device-physics.html