[전자회로실험]BJT의 특성 및 bias

소개글

트랜지스터 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관 관계를 인식함으로써 트랜지스터 회로 설계 능력을 기른다. 특히 동작점의 위치와 증폭기로서의 특성 사이의 관계에 대한 이해를 통하여 증폭기 설계의 기초를 마련한다.

목차

1.실험 목적
2.실험 이론 및 원리
3.실험 장비
4.실험 절차
5.실험 결과
6.토의사항
7.문제풀이

본문내용

실험 목적
가. 트랜지스터 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관 관계를 인식함으로써 트랜지스터 회로 설계 능력을 기른다. 특히 동작점의 위치와 증폭기로서의 특성 사이의 관계에 대한 이해를 통하여 증폭기 설계의 기초를 마련한다.
나. 증폭기로 동작하도록 동작점을 설정하는 기법을 익힌다. 아울러 동작점이 바이어스 회로 및 소자 변수와 어떻게 연관되어 있는지를 이해하도록 한다.
다. 트랜지스터의 임의의 단자를 선정하여 그 단자의 이미터, 베이스, 컬렉터를 구별하는 실험이다.
라. 자유전자와 정공을 동시에 이용하는 트랜지스터를 이해하고 트랜지스터 NPN/PNP형의 특성을 실험을 통해 알아본다. 또한 트랜지스터의 동작을 확인해본다.

2. 실험 이론 및 원리
가. Junction diode
1) n-형 반도체
5가 불순물로 도핑된 실리콘을 n-형 반도체라 부르며 여기서 n은 음(-)을 의미한다. n-형 반도체는 자유전자가 정공보다 많기 때문에 자유전자를 다수캐리어, 그리고 정공을 소수 캐리어라 한다. 전압이 인가되면 반도체 안의 자유전자들은 좌측으로, 그리고 정공들은 우측으로 이동한다. 정공 한 개가 결정의 우측단에 도달하면 외부회로의 자유전자 한 개가 반도체 안으로 들어가서 정공과 재결합한다.

2)p-형 반도체
3가 불순물로 도핑된 실리콘을 p-형 반도체라 하며, 여기서 p는 양(+)을 의미한다. 정공이 자유전자 보다 많기 때문에 정공이 다수캐리어, 그리고 자유전자가 소수 캐리어로 된다. 전압을 인가하면 자유전자는 좌측으로, 그리고 정공은 우측으로 이동한다.

3)Unbiased Diode
앞에서 설명한 것처럼 실리콘 결정안에 있는 5가 원자들은 각각 자유전자 한 개씩을 생성하기 때문에 n-형 반도체를 아래 그림의 우측과 같이 생각할 수 있다. 원안에 +로 표시한 기호는 5가 원자를 나타내며, -기호는 반도체에 기여하는 자유전자이다. 마찬가지로 p-형 반도체의 3가 원자와 정공을 아래 그림의 좌측과 같이 생각할 수 있다. 원안에 -표시한 기호는 3가 원자이며, +기호는 가전자 궤도의 정공이다.

참고 자료

전자회로 6th Edition, Albert Paul Malvino, MC Graw Hill 1999