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다이오드 실험 결과 보고서

*용*
최초 등록일
2019.03.01
최종 저작일
2016.09
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소개글

일반 물리학 및 실험 과목 중 다이오드1 실험 결과 보고서입니다.

목차

1. 실험 목적 및 이론
(1)실험 목적
(2)실험 배경 및 이론

2. 실험 방법 및 순서

3. 질문과 답

4. 고찰

본문내용

1. 실험 목적 및 이론
(1)실험 목적:
① 다이오드의 대하여 알아보고 다이오드의 동작원리를 이해한다.
② 다이오드의 종류에 따른 문턱전압(V)을 알아본다.
(2)실험 배경 및 이론:
- 실리콘이나 게르마늄은 4족 원소(최외각 전자가 4개)로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 실리콘이나 게르마늄은 진성반도체라고 불린다. 진성 반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다. 반도체 소자로 쓰기 위하여 불순물을 첨가하여 전도 도를 증가 시킨다. 이러한 과정을 도핑이라고 한다.
- 진성 반도체에 3가 원소( 붕소, 알루미늄등)을 첨가한 것을 P형 반도체라고 한다. P형 반도체는 전하를 옮기는 캐리어로 정공이 사용된다.
그리고 진성 반도체에 5가 원소를 첨가한 것을 N형 반도체라고 한다. N형 반도체는 전하를 옮기는 캐리어로 전 자가 사용된다.
- 다이오드는 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어진다.

참고 자료

없음
*용*
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