아주대학교 반도체실험 기말프로젝트 보고서, 측정 데이터 (A+)

소개글

2018-1학기 수강한 최종 프로젝트 발표자료 및 데이터입니다.

주제는 90nm MOSFET 설계였고, ITRS의 기준을 모두 만족하는 MOSFET을 만들었습니다.

목차

1. Background

2. Theory
2.1 MOSFET
2.2 Fabrication

3. Fabrication process

4. 250nm NMOS

5. 90nm NMOS

본문내용

Purpose

-To become a good engineer with the ability to handle simulations
-To test our knowledge about semiconductor engineering
-To understand the difference between theory and simulation
-To understand the fabrication process learned in the IC process
-To implement the actual MOSFET
-To study the non-ideal elements of short channel MOSFET

참고 자료

없음

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1997.pdf
1999.pdf
1차 중간 발표.pptx
2005 pids.pdf
2차 중간 발표.pptx
3차 중간 발표.pptx
8조 기말프로젝트발표.pptx
9조 프로젝트 설계 제안.pptx
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