BJT 예비레포트/결과레포트

목차

1.서론

2.BJT
2.1 BJT란?
2.2 구조 및 원리

3.직류바이어스
3.1 직류바이어스란?
3.2 종류 및 특징

4.bjt 증폭기

5.A급 증폭기

6.B급 증폭기

본문내용

1.서론
트랜지스터의 발명은 기술혁명의 계기가 되었다. 오늘날 모든 복잡한 전자 소자나 시스템은 초창기 반도체 트랜지스터 개발의 산물이다. 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT), 전계 효과 트랜지스터(FET) 두 가지 기본형이 있으며 이번 리포트에서는 BJT에 관해서 알아보도록 하자.

2. BJT
2.1 BJT란?
-양극성 접합 트랜지스터[Bipolar Junction Transistor]
- Bipolar
전류 캐리어로서 정공, 전자를 둘 다 사용한다는 것을 의미한다. 캐리어를 하나만 사용하는 예로는 유니폴라가 있다.

-Junction
접합되어있다는 것을 의미한다. bjt의 경우 두 개의 pn 접합으로 구성되어있는데, 그 순서에 따라 pnp형, npn형으로 나뉜다. 둘 중에 NPN이 더 많이 사용되는 걸 확인할 수 있다. 트랜지스터가 개발되기 전에는 진공관을 이용해서 신호를 변경하거나 증폭을 시켰다. 트랜지스터가 개발되면서 진공관의 자리를 트랜지스터가 대체하게 되었는데, NPN형 트랜지스터가 전압을 인가하는 방법이나 전류가 흐르는 방향에 있어서 진공관과 같다고 한다. 그래서 NPN형이 PNP형에 비해 많이 사용되는 것 같다.
2.2 구조 및 원리 ( NPN형 )
이미터는 두껍게 도핑 되어있으며 전자를 베이스 쪽으로 방출시키거나 투입시키는 역할을 수행한다. 베이스는 약하게 도핑 되어있어 매우 얇다. 그 이유는 대부분의 이미터에서 방출된 자유전자를 컬렉터로 바로 통과시키기 위해서이다. 컬렉터는 베이스와 이미터의 중간 정도로 도핑 되어있으며 이미터와 베이스에서 온 자유전자를 모으기 때문에 가장 면적이 크다.
①베이스-컬렉터 사이에 역방향 바이어스를 걸어주면 접합면에 공핍층이 형성되고, 전계를 형성하게 된다.
②이미터-베이스 사이에 0.7V 이상의 순방향 바이어스를 걸어주게 되면 이미터의 다수 캐리어인 전자가 접합면의 전위장벽을 넘어서 베이스로 이동한다 (=확산전류 )

참고 자료

http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node3.html
http://studystuffz.blogspot.kr/2014/02/difference-between-linear-electronics.html
http://www.pcbheaven.com/wikipages/Transistor_theory/
https://blog.naver.com/kwise0226/220694379601
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5008
http://ebook.chungpaemt.co.kr/AReS_EI_HTML/HTMLContents/part8/experiment8_2_ko.html
http://m.blog.daum.net/trts1004/12109131?np_nil_b=-2