[예비레포트] 10장 BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스

목차

Ⅰ. 실험에 관련된 이론
1. 이미터 바이어스 회로
2. 컬렉터 귀환 회로

Ⅱ. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
1. 이미터 바이어스 구조 : B 결정
2. 이미터 바이어스 구조 : 동작점 결정
3. 컬렉터 귀환 구조 (RE = 0옴)
4. 컬렉터 귀환 구조(RE 존재)

Ⅲ. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론
1. 이미터 바이어스 회로
이미터 바이어스 구조는 단일 또는 이중 전원 공급장치를 사용하여 구성 될 수 있다. 두 구조 모두 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 특히 이미터 저항에 트랜지스터의 베타를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면 즉 배타*이미터저항 >> 배이스저항 이라면 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의 베타와 무관하게 된다. 그러므로 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환하더라도 콜렉터 전류와 콜렉터 – 이미터 전압의 변화는 미약할 것이다. 아래 <그림 1>은 두가지의 전압원을 이용하여 이미터 바이어스 구조를 한것이다. 이때의 콜렉터 – 이미터 전압의 결과만을 공식화 한다면 VCE = VCC - VEE - (RC+RE)․IC 가 된다. 하지만 우리 실험에서는 전압원을 한가지만 쓰는 구조를 하므로 아래의 <그림 1>과는 다르게 이미터에는 그라운드만 걸리게 되고 콜렉터에 걸리는 전압인 VCC가 베이스에도 연결되어진다 즉 RC와 RB가 병렬로 연결되는 구조를 설계한다.

IE = (-VEE-VBE)/(RE+RE/베타)
where VBE, βDC : 온도와 전류에 따라 변화.
i) if RE ≫RB/베타 , RE + RB/베타 ≅ RE
∴ IE ≅ (-VEE-VBE)/RE ; IE가 βDC에 무관.
ii) if VEE ≫ VBE, -VEE - VBE ≅ -VEE
∴ IE ≅ -VEE/RE ; IE가 VBE에 무관
⇒ i), ii)로부터, IE (≅ IC)가 βDC 및 VBE에 무관하게 되면, Q점은 이들 변수의 변화에 영향을 받지 않으므로 Q점 안정된다

2.컬렉터 귀환 회로
<그림 2>와 같이 컬렉터 귀환 바이어스 회로를 실험 9의 고정 바이어스와 비교한다면 전자에서 베이스 저항은 고정 전압 VCC에 연결된 것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 그러므로 컬렉터 귀환 구조에서 베이스 저항에 걸리는 전압은 컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 함수이다.

참고 자료

전자회로실험 10판
http://kowon.dongseo.ac.kr/~hkjo/eleBOOK/experiment/BJT_Biasing_2/experiment_9.html
http://gakari.tistory.com/entry/%EC%A0%84%EC%95%95%EA%B6%A4%ED%99%98-%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
http://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80%EC%8A%A4%ED%84%B0