전자회로실험1 예비보고서 JFET 특성

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 참고문헌

본문내용

- JFET는 유니폴라 소자이다. n-채널 JFET의 전류 캐리어는 전자이고, p-채널 JFET의 전류 캐리어는 정공이다. n-채널 JFET에서 전류의 경로는 n-도핑된 게르마늄이나 실리콘이고, P-채널 JFET에서 전류의 경로는 p-도핑된 게르마늄, 실리콘이다. 전류의 흐름은 채널 내부에서 서로 반대로 도핑된 영역 사이에 생기는 공핍영역에 의해 조절된다. 채널은 각각 드레인과 소스로 불리는 두 개의 단자에 연결되어 있다. n-채널 JFET에서는 드레인이 양(+)전압에, 소스가 음(-)전압에 연결되어 채널에 전류의 흐름이 형성된다. P-채널 JFET의 경우 인가전압의 극성은 n-채널 JFET과 반대이다
게이트로 불리는 세 번째 단자는 공핍영역과 채널의 폭을 조절할 수 있는 매커니즘을 제공하며, 이를 통해 드레인과 소스 단자 간에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. n-채널 JFET에서는 게이트에서 소스까지의 전압이 음전압으로 될수록 채널의 폭이 좁아지며 드레인에서 소스로 흐르는 전류는 작아지게 된다.

참고 자료

B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410
http://blog.naver.com/lws8661/10151545068
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=664286&cid=50313&categoryId=50313
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http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=106843203&qb=6rCA67OA7KCA7ZWt&enc=utf8&section=kin.qna&rank=1&sort=0&spq=0
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http://blog.naver.com/ksab2013/220805194560
http://cafe.naver.com/elecman/1649