학술보고서_ Growth of Si nanowires on a Si(111) by molecular beam epitaxy
- 최초 등록일
- 2019.11.30
- 최종 저작일
- 2019.11
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소개글
Growth of Si nanowires on a Si(111) by molecular beam epitaxy에 관한 학술보고서 입니다.
실제 MBE, E-beam 및 SEM 장비를 활용한 실험을 토대로 논문 형식으로 작성되었습니다.
목차
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과
4. 결론
5. 참고문헌
본문내용
분자선 에피턱셜법을 이용하여 실리콘 나노 선을 결정방향 (111)인 실리콘 기판 위에 성장하였다. 성장은 분자선 에피턱셜(molecular beam epitaxy) 장치를 이용하였으며, 주사전자현미경을 이용 하여 나노 선의 특징 및 길이와 지름을 측정하였다. 성장 온도와 장비를 통해 나노 선의 성장률이 화학기상증착법과 크게 다른 것을 확인하였다.
참고 자료
1. E. I. Givargizov, Fundamental aspects of VLS growth, Journal of Crystal Growth, 1975, p20.
2. R. S. Wagner 외, VAPOR‐LIQUID‐SOLID MECHANISM OF SINGLE CRYSTAL GROWTH, Applied Physics Letters, 1964, p89.
3. Y. Cui 외, Nanowire nanosensors for highly sensitive and selective detection of biological and chemical species, science, 2001, p851.
4. Y. Cui 외, Diameter-controlled synthesis of single-crystal silicon nanowires, Applied Physics Letters, 2001, p2214.