반도체 다이오드 특성 실험 결과 레포트

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목차

1. 이론적 배경
2. 실험(반도체 다이오드 특성 실험)
3. 오차
4. 결과
5. 출처

본문내용

Ⅰ. 이론적 배경

1) p-n 접합 다이오드: p형 반도체와 n형 반도체가 결합된 형태를 p-n 접합이라 하고, 전극을 붙인 p-n 접합을 p-n 접합 다이오드라고 한다.

2) 순방향 전압과 역방향 전압: p형 반도체 쪽에 (+)전원을 n형 반도체 쪽에 (-)전원을 연결할 때 순방향 전압이 걸렸다고 하고, 이때 다이오드를 통해 전류가 흐른다. 반대로 n형 반도체 쪽에 (+)전원을 p형 반도체 쪽에 (-)전원을 연결할 때는 역방향 전압이 걸렸다고 하고, 이때는 전류가 거의 흐르지 않는다.

Ⅱ. 실험 (반도체 다이오드 특성 실험)

1) 실험 목적: P-N 접합형 반도체의 정특성을 측정하고 정류 작용의 원리를 이해한다.

참고 자료

https://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1276421&cid=40942&categoryId=32240