트랜지스터 C-E 회로 특성 실험 결과 레포트

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목차

1. 이론적배경
2. 실험 (트랜지스터 C-E 회로 특성)
3. 오차
4. 결과

본문내용

Ⅰ. 이론적 배경

1) 트랜지스터: 전류나 전압 흐름을 조절해 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자를 말한다. 크게 전기장 효과를 이용한 전계 효과 트랜지스터와 접합형 트랜지스터로 구분된다.

2) p-n-p형 트랜지스터: 불순물 농도가 작고, 폭이 좁은 n형 영역의 양측에 p형 영역을 접합한 반도체의 조합을 말한다. 중앙 영역을 베이스(B)라 하고, 베이스를 중심으로 바깥쪽에 있는 순방향의 영역을 이미터(E), 역방향의 영역을 컬렉터(C)라 한다.

3) 정특성 곡선: 어떤 회로 또는 장치의 정상 상태에서 입력량과 출력량과의 관계를 나타내는 곡선으로 트랜지스터에서는 컬렉터 전압과 컬렉터 전류 사이의 관계를 나타내는 곡선이다.

Ⅱ. 실험 (트랜지스터 C-E 회로 특성 실험)

1) 실험 목적: p-n-p 트랜지스터의 정특성 곡선을 구하고, 그 동작 원리와 증폭작용을 이해한다.

참고 자료

물리학백과
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전자용어사전
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교수님이 주신 참고자료