[공학] Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정

목차

1. 서 론
2. 소자 제작
3. 실험과 결과

본문내용

전하 트랩형 NVSM 셀인 SONOSFET의 기억트랩 분포 및 특성에 대한 정보는 전하주입 기구 및 소자 동작특성의 정확한 예측을 위해 필요한 파라미터이다. 트랩의 특성을 연구하기 위한 방법은 C-V, G-V, TSC, DLTS 및 1/f 잡음법 등이 있으나 분석이 어렵고 캐패시터형 구조에서 사용되어야 하는 한계가 있다. Charge Pumping 방법은 측정과 분석이 용이하고 트랜지스터 구조에 직접 적용이 가능하다는 장점이 있다. 본 논문에서는 기존의 방법을 개선한 single junction charge pumping 방법을 적용하여 기억 트랩의 공간적인 분포를 구하였다.
SONOSFET NVSM 셀은 0.35 ㎛ 리트로그레이드 트윈 웰, 이층폴리, 이층금속배선의 표준 로직공정을 기본으로 ONO 셀 공정을 추가시킨 기억 셀 임베디드 로직공정을 이용하여 제작하였으며 ONO 게이트 유전막의 두께는 각각 터널 산화막 24 , 질화막 74 , 블로킹 산화막 25 이다.
제작된 소자의 게이트에 인가되는 펄스 전압의 기저 준위를 고정시키고 최고 준위를 증가시켜가며 이때 흐르는 charge pumping 전류를 드레인 또는 소스의 단일접합(single junction)에서 측정하여 Icp-Vh 곡선을 구하였다. 얻어진 Icp-Vh 곡선으로부터 계면트랩밀도, Nit 및 벌크트랩밀도, Not 의 공간적 분포를 구하였다.

참고 자료

없음