충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 8. MOSFET 기본 특성 2

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 시뮬레이션

본문내용

1. 실험 목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다.
이 실험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.
∎ MOSFET의 채널은 소오스-드레인 채널의 작은 전압 VDS에 대해 작은 전류 iD가 흐르는 저항으로 이해된다.
∎ 게이트 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 채널의 "on"저항 Ron이 감소한다.
∎ CD4007에 내장된 n-, p- 채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다.
∎ 실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

참고 자료

없음