[화학공학] 포토레지스트

*규*

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최초 등록일: 2003.11.22
최종 저작일: 2003.11; 6페이지/ MS 워드; 가격 1,000원

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2-1. photoresist의 분류

1) 극성에 의한 분류
가. positive resist : 빛이 조사된 부분이 현상액에 녹는 레지스트
나. negative resist : 빛이 조사된 부분이 현상액에 녹지 않는 레지스트

2) 광반응 메커니즘에 의한 분류
가. 가교 반응형 : negative resist
나. 분해 반응형 : 빛에 의하여 고분자의 주쇄가 절단. 주로 positive resist
가 포함
다. 변성형 : 빛에 의해 용해도가 변화. 대부분의 resist가 포함

3) 노광원에 의한 분류
가. 광 resist : 반도체 제조에 주로 사용. 가시광선, 자외선, 원자외선,
및 극자외선을 사용
나. 전자선 resist : 수십 옴스트롱 크기로 접속된 전자선을 사용,
주로 photomask 제조에 사용
다. X-ray resist : 0.6~44 옴스트롱 파장을 사용. 차세다 resist로 연구중

2-2. photoacid generator (PAG)
PAG는 광을 받았을 때 광분해 하여 산을 발생시키는 물질로서 이 산은 photoresist의 용해도를 증가시켜 주는 역할을 한다.

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