아주대학교 반도체실험 MOSFET 결과보고서,측정데이터(A+학점인증)
- 최초 등록일
- 2020.10.11
- 최종 저작일
- 2016.09
- 27페이지/
압축파일
- 가격 5,000원
![할인쿠폰받기](/images/v4/document/ico_det_coupon.gif)
소개글
안녕하세요.
'반도체읽어주는남자'입니다.
- 본인 인증
- 전자공학과 졸업 인증
- 삼성전자 반도체공정 재직 인증
아주대학교 반도체실험 A+학점 인증 (파일포함)
모든 데이터를 직접 측정하였으며,
미리보기에서 볼 수 있듯이 깔끔하게 차트를 구성하였습니다. (Raw data 포함)
직접 작성한 자료들입니다.
목차
1. 실험목표
2. MOSFET
2.1 MOSFET SPICE Model
2.2 MOSFET Characteristic
3. MOSFET 소자 특성 측정
3.1 측정 소자 ALD1103
3.2 NMOS 트랜지스터의 전류-전압 특성 측정
3.3 PMOS 트랜지스터의 전류-전압 특성 측정
4. MOSFET 등가회로 변수 추출
4.1 NMOS 등가회로 변수 추출
5. Simulation
5.1 NMOS MOSFET Simulation
6. 실험에 대한 분석 및 고찰
본문내용
1. 실험 목표
- 반도체 소자분석기를 이용한 MOSFET의 특성 측정방법을 익힌다.
- 반도체 소자분석기를 이용하여 MOSFET의 DC 특성을 측정하고 이로부터 LEVEL 1 의 SPICE 등가회로 변수를 추출한다.
2. MOSFET
2.1 MOSFET SPICE Model
이 실험에서 사용하는 LEVEL 1 MOSFET 모델은 복잡한 물리적 현상을 무시하고 트랜지스터의 동작 원리를 간단한 몇 개의 변수로서 기술한다. LEVEL 1 MOSFET 모델은 해석적으로 MOSFET이 내장된 회로를 분석하는데 주로 사용한다.
<중 략>
3.2 NMOS 트랜지스터의 전류-전압 특성 측정
3.2.1 전류-전압 측정 그래프
- 전류-전압 특성을 측정하기 위하여 드레인-소스 전압 Vds- 가 증가함에 따라 드레인 전류 Id의 변화량을 측정하였다. 또한 게이트-소스 전압 Vgs- 값의 변화에 따른 전류-전압 특성을 확인해 보기 위하여 Vgs- 값 또한 일정 전압 간격으로 증가시켜 측정하였다. 측정 결과 다음과 같은 그래프가 나오는 것을 확인하였다.
[CHART]
- 측정결과 분석 : NMOS 트랜지스터의 전류-전압 측정결과 위와 같은 결과가 나왔다. 트라이오드 영역(Triode Region)인 문턱전압 이하 전압 영역에서는 다음 식과 같은 형태로 전류가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
[수식]
문턱 전압 이상의 전압 영역인 포화영역(Saturation Region)에서는 드레인 전류 Id가 미세하게 증가하는 현상을 확인할 수 있다. 이상적인 조건에서 포화영역에서는 드레인 전류 Id가 증가하지 않는 일정한 값을 보이지만 채널 길이 변조 효과에 의하여 미세하게 증가하는 현상을 보인다. 이상적인 조건에서 전류-전압 관계식은 다음과 같이 나오는 것을 확인할 수 있다.
[수식2]
채널 길이 변조 효과가 있을 때에는 전류=전압 관계식이 다음과 같이 나오는 것을 확인할 수 있다.
[수식3]
위의 식에서 Id가 드레인-소스 전압 Vds에 종속인 것을 확인할 수 있고, 실제 측정 결과에서도 마찬가지로 Vds가 증가함에 따라 전류 Id가 미세하게 증가하는 것을 확인할 수 있다.
참고 자료
없음
압축파일 내 파일목록
1102실험결과 - MOSFET/7Vtho Kp (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/7gamma phi (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/7lambda (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/NMOS ID-VDS (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/NMOS Vth (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/PMOS ID-VDS (차트 완성).xlsx
1102실험결과 - MOSFET/PMOS Vth (차트 완성).xlsx
MOSFET 최종 결과보고서/MOSFET 최종 결과보고서.hwp
Datashhet.GIF
반도체실험 A+ 성적인증.jpg
파라미터 조절법.png