MOSFET의 특성 결과레포트

소개글

이번학기 A+받은 결과레포트입니다
피스파이스 회로 및 시뮬레이션 결과까지 포함되어있습니다

목차

I. 실험 결과
1. 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선
2. 공핍형 MOSFET 전달특성곡선
3. 증가형 MOSFET 드레인 특성곡선
4. 증가형 MOSFET 전달특성 곡선

II. 결론

본문내용

● 실험 결과

1-1 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선
▶ 문턱전압이 약 1.7V이므로 게이트 전압이 0V , 1V 일때에는 문턱전압보다 게이트 전압이 낮기 때문에 드레인 전류가 생성되지 않는다. 따라서 그래프의 맨 밑에 0V와 1V 일 때 드레인 전류가 0A로 같이 나타나게 된다.
▶ 게이트 전압이 2V일 때에는 MOSFET의 문턱전압인 1.7V를 넘어섰기 때문에 드레인 전류가 약 2.34mA로 작게 나타나게 되는 것을 확인할 수 있다.
▶ 게이트 전압이 3V일 때에는 51mA, 4V일 때에는 165mA, 5V일 때에는 342mA로 증가하는 것을 확인할 수 있다.

1-2 공핍형 MOSFET 전달특성곡선
▶ 드레인 전압은 100V로 고정되어 있고 게이트전압을 0V에서 7V로 변화시키면서 생기는 드레인 전류의 특성곡선을 확인하기 위해 회로를 구성하였다.

▶ 문턱전압인 1.7V 전까지는 채널이 형성되지 않아 드레인 전류가 흐르지 않는 것을 확인할 수 있다.
▶ 게이트 전압이 1.7V 이상 증가함에 따라 채널이 형성되고 드레인 전류가 흐르게 되는 것을 확인할 수 있다.

<중 략>

●결론
이번 실험에는 MOSFET의 공핍형과 증가형에 따른 드레인 전류의 특성곡선과 전달특성을 살펴보았다.

참고 자료

없음