고분자 공학 Photolithography

소개글

"고분자 공학 Photolithography"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 제목

2. 실험 목적

3. 실험 원리
1) Photolithography
2) Photo-resist:
3) Photolithography 과정
4) Photolithography 특징

본문내용

3. 실험 목적: Photolithography의 과정과 원리를 이해하고 직접 패터닝을 해보면서 주의사항에 대해서 숙지한다.
4. 실험 원리
1) Photolithography: 반도체의 표면에 사진 인쇄 기술을 써서 집적 회로, 부품, 박막 회로, 프린트 배선 패턴 등을 만들어 넣는 기법이다.
2) Photo-resist: 빛의 조사로 성질이 변화하는 고분자 재료로, 사진식각 기술에 사용된다. 웨이퍼 위에 균일하게 입혀진 감광액은 빛에 노출되면 화학적 성질이 변하게 되는데, 그 부분만을 제거함으로써 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만을 남길 수 있다. 미세한 회로 패턴을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하며, 자외선 등에 대한 감도가 좋아야 한다. Photo-resist(PR)는 다음과 같이 3가지 구성요소로 이루어져 있다.
i) Solvent: PR을 보관하기 위해 외부 빛의 노출을 방지하고자 사용하는 액체. Solvent는 빛을 흡수하기 때문에 노광 전에 반드시 제거해야 PR이 빛에 반응할 수 있다.
ii) Resin: Polymer 결합으로 이루어진 물질
iii) Photoactive Compound (PAC): 빛과 반응하는 물질로, 빛이 쪼여지면 carboxylic acid로 분해되어 더 이상 수지를 현상액으로부터 보호하지 못한다.

참고 자료

노병국, 한국정밀공학회지, Vol.24, No.12, 132, 2007