[전기전자실험]다이오드&연산증폭기 실험보고서
- 최초 등록일
- 2020.12.17
- 최종 저작일
- 2017.10
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소개글
평점 A를 받았던 전기전자실험 과목 보고서입니다.
조금이나마 도움이 되기를 바랍니다.
감사합니다.
목차
1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 과정
4. 실험 결과
5. 고찰
본문내용
1. 실험 목적
⑴게르마늄(Germanium)과 실리콘(Silicon) 다이오드의 특성에 대하여 알아본다.
⑵제너 다이오드의 특성에 대하여 관찰하고 그 원리를 이해한다.
⑶연산증폭기(OP AMP)의 동작원리와 반전, 비반전 증폭기에 대하여 알아본다.
2. 이론
⑴접합다이오드
반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항이 낮은 반면에 역방향 저항은 매우 높기 때문이다. 모든 반도체 다이오드는 대체적으로 단방향적 특성을 가지고 있다.
그림<1> 그림<2>
그림<1>과 같이 전원을 p-n접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향전압이 걸려 있다고 말한다. 이 때 다이오드를 통하여 큰 전류, 즉, 순방향 전류가 흐른다. 이는 p영역의 hole이 n영역으로, n영역의 전자가 p영역으로 활발한 흐름으로 인해 p영역에서 n영역으로 큰 전류가 흐르게 된다.
그림<2>과 같이 p-n접합 다이오드에 외부 전압이 n형 쪽에 +, p형 쪽에 -가 되도록 가해질 때 역방향 전압이 걸렸다고 말한다. 이 때 다이오드를 통해 극히 약한 전류, 즉, 역포화 전류가 n영역에서 p영역으로 흐른다. 이 전류는 낮은 역방향 전압에서 쉽게 최대치에 도달하며 역방향 전압을 높여도 그 이상 더 커지지 않으므로 역포화 전류(Is)라고 부른다.
그림은 Germanium 다이오드와 Silicon 다이오드의 v-i특성을 나타낸 것이다. 그래프에서 전류가 급격히 증가하는 것을 확인할 수 있는데, 이 때의 전압을 문턱전압이라고 한다.
⑵제너 다이오드
제너 다이오드는 다이오드와 마찬가지로 P-N접합 반도체로 이루어져 있다. 제너 다이오드의 P-N접합 반도체 안에는 일반 다이오드의 P-N접합 반도체보다 더 많은 불순물이 들어가 있는데, 이것이 제너다이오드와 일반 다이오드의 가장 큰 차이점이라고 볼 수 있고, P-N반도체 안에 들어있는 불순물의 함량에 따라서 항복전압이 높아지고 낮아지게 된다.
참고 자료
없음