(A+) 전자회로실험 FET바이어스 회로 및 FET 증폭기 예비레포트 / 결과보고서

소개글

(A+) 전자회로실험 FET바이어스 회로 및 FET 증폭기 예비레포트 / 결과보고서 입니다.

목차

1. Chapter1. 관련 이론
2. Chapter2. 실험 결과 (시뮬레이션)
3. Chapter3. 참고문헌

본문내용

Chapter 1. 관련 이론

FET(field effect transistor)는 전계효과 트랜지스터로 명명된다. 이 실험에서는 주로 JFET에 대해서만 취급하기로 한다. FET는 소스, 드레인, 게이트의 세 부분으로 구성되며 보통 FET의 전기전도는 소스와 드레인을 잇는 채널에 해당하는 다수캐리어 한 가지에 의해서 이루어지므로, FET는 Uni-pola Tr라고 한다. FET의 게이트는 항상 역방향바이어스를 걸어줘, 전류가 거의 흐르지 않는다. 그러므로 입력저항이 수백 MΩ 이상으로 대단히 크다. 게이트의 역방향바이어스를 증가시키면, 게이트와 소스-드레인 사이에 공핍층은 점점 더 넓어지고, 채널이 막혀버리게 된다. 이를 Pinch-off가 일어났다고 한다. 만일 게이트전압을 고정하고 드레인의 전압 를 높여주면, 드레인전류 가 크게 증가하다가 핀치오프가 일어나면서부터 전류는 더 이상 증가하지 않고 이를 드레인 포화전류 라고 한다.

참고 자료

[정보통신 기술용어해설 > 전기전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC