물리학 및 실험2(기초회로실험) 예비보고서, 결과보고서

소개글

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목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험이론
4. 실험방법
5. 분석 및 토의
6. 참고문헌
7. 실험결과

본문내용

1. 실험제목
기초회로실험

2. 실험목적
저항의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 저항에 흐르는 전류를 측정하여 일반 , 저항에 대한 옴의 법칙과 반도체 다이오드의 전기 정류 특성을 ( ) 확인한다. Kirchhoff 의 법칙을 이용하여 여러 개의 저항과 전압이 연결된 회로를 분석해본다.

3. 실험이론
A. ( 전기저항 다이오드 특성)
-다이오드 특성
Ⅴ족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 가지는 반도체를 n형 반도체라 한다. 반면에 Ⅲ족 불순물을 첨가하여 정공이 형성된 반도체를 p형 반도체라 한다. 이 와 같은 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다. 이때 두 반도체의 접합부분에서는 자유롭게 이동이 가능한 정공과 전자들이 없는 공핍층 (depletion layer) 이 형성된다.
p형 반도체에 () , n ( 극을 형 반도체에 ) 극을 연결하는 경우를 순방향 전압(Forward bias) 이라 하고 반대로 , 전압을 걸어줄 때를 역방향 전압 (Reverse bias) 이라 한다.

참고 자료

일반물리학 형설출판사
일반물리학 실험 형설출판사

압축파일 내 파일목록

기초회로실험 예비.pdf
기초회로실험 결과.pdf