중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습(3-1) A+ 4차예비보고서 (점수인증) MOSFET 소자 특성 측정

소개글

회로설계에 관심이 많아 매 보고서마다 4-5시간씩은 소요하며 작성하였습니다.
이론과 pspice 시뮬레이션을 비교하며 차이가 있다면 차이까지 설명하고자 노력하며 공들여 작성한 예비보고서입니다.
4차예비보고서는 10점만점에 10점으로 평가되었으며, 압축파일에 사진 첨부하였습니다.
감사합니다.

목차

1. 실험 목적
2. 준비물
3. 설계실습 계획서
4. 실험 절차

본문내용

1. 실험 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

2. 준비물
Digital Multimeter : 1대
DC Power Supply (2channel) : 1대
40cm 잭-집게 연결선(빨강) : 4개
40cm 잭-집게 연결선(검정) : 4개
Bread Board : 1개
점퍼 와이어 키트 : 1개
MOSFET (2N7000) : 1개
Resistor (100Ω, 1/2W) : 1개

3. 설계실습 계획서
* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.
그림 1. MOSFET 소자 측정 회로

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.4V인 경우, gm의 값을 구하여라.

참고 자료

없음

압축파일 내 파일목록

예비보고서 점수.PNG
전자회로설계실습 4차 예비보고서.pdf