아주대 논리회로실험 실험9 RAM 예비보고서

소개글

2020년 2학기 논리회로실험 A+ 받은 예비보고서입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 소자
1) 74HC○○칩

3. 실험 이론
1) RAM
2) 1bit RAM

4. 회로 결선도

5. 실험 과정
1) 실험1(2-bit RAM)
2) 실험2(16-bit RAM)

6. 예상 결과
1) 실험1
2) 실험2

7. 참고문헌

본문내용

3. 실험 이론
1) RAM
- RAM은 Random-Access Memories으로 정보를 저장하고 검색하여 읽을 수 있는 메모리이다. Random Access는 저장된 데이터를 읽거나 저장하는데 RAM의 위치에 관계없어 데이터에 접근하는 속도가 빠르고 데이터가 순서없이 입력되어도 처리가 가능하다는 장점이 있지만 대부분의 ram은 전원이 끊어지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리 특성을 가진다. SRAM은 F/F 방식으로 한 위치에 데이터를 저장하고 같은 위치에 데이터를 저장하지않으면 전원이 유지되는 한 값이 계속 유지되고, DRAM은 각 위치에 저장된 데이터는 주기적으로 읽고 다시 저장하는 방식으로 리프레시 되어야한다. SRAM은 가격이 비싸고 고속이기 때문에 캐쉬 메모리로 사용되고, DRAM의 경우 집적도가 높고 비트당 가격이 저렴하기 때문에 주기억장치로 주로 사용된다.

2) 1bit RAM
- SR F/F을 이용하여 1bit RAM을 구현하면 위의 그림과 같다. 1bit RAM에서 input은 3개가 존재하는데 Selection input은 전체 회로가 동작되도록하는 enable 역할을 하고, Read/Write에 1이 인가될 경우 Read동작을 0이 인가될 경우 Write동작을 한다.

참고 자료

John F. Wakerly, (2006). 디지털 디자인 Fourth Edition (김도현, 역). 경기도: 사이텍미디어. (원서출판 불명). p141(CMOS 논리군).
위의 책, p712~715(RAM)
논리회로실험 실험9 강의노트
전자부품 데이터시트 검색엔진[웹사이트]. (2020.11.13.). URL: https://www.alldatasheet.co.kr/