전자공학실험 01.다이오트 특성 및 반파정류회로 실험 예비&결과 레포트+문제풀이

소개글

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목차

1.1 실험 개요

1.2 실험원리 학습실
1.2.1 다이오드 전압-전류 특성
1.2.2 반파정류기

1.3 시뮬레이션 학습실
1.3.1 다이오드 특성 곡선 시뮬레이션
1.3.2 반파정류기 시뮬레이션

1.4 실험기기 및 부품

1.5 실험 방법
15.1 다이오드 전압-전류특성 실험
1.5.2 반파 정류기 실험

1.6 실험결과 및 검토
1.6.1 실험결과
1.6.2 검토 및 고찰

1.7 실험 이해도 측정 및 평가
1.7.1 객관식 문제
1.7.2 주관식 문제

본문내용

1.1 실험 개요
-반도체 다이오드의 전압과 전류의 특성을 실험적으로 구하고, 다이오드 응용회로인 반파정류 회로의 동작원리와 출력파형을 관찰하고 측정한다. 1.2 실험원리 학습실

1.2.1 다이오드 전압-전류 특성
-다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로, 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 그림 1-1에 다이오드 구조와 회로 심벌을 도시하였으며, 다이오드 회로 심벌에서 화살표 방향으로만 전류가 흐를 수 있음에 유의한다.

(1) 순방향 바이어스 -다이오드 양극(A)이 음극(K)보다 높은 전위를 가지도록 전압을 인가하는 것을 순방향 바이어스라 한다. 순방향 바이어스시 다이오드의 양극과 음극사이의 전위차가 증가하면 점차 전류가 증가하는데, SI 다이오드의 경우 대략 다이오드 양단 전압이 0.7V에 이를 때 까지는 순방향 전류는 조금밖에 증가하지 않지만 0,7V 이상이 되면 순방향 전류는 급속히 증가한다.

참고 자료

없음