(특집) 포토공정 심화 정리13편. Immersion ARF, Top coat, ARC, OAI
- 최초 등록일
- 2021.08.16
- 최종 저작일
- 2021.05
- 5페이지/
한컴오피스
- 가격 2,000원
* 본 문서(hwp)가 작성된 한글 프로그램 버전보다 낮은 한글 프로그램에서 열람할 경우 문서가 올바르게 표시되지 않을 수 있습니다.
이 경우에는 최신패치가 되어 있는 2010 이상 버전이나 한글뷰어에서 확인해 주시기 바랍니다.
소개글
(특집) 포토공정 심화 정리13편. Immersion ARF, Top coat, ARC, OAI 파일입니다.
총 19편으로 구성되어 있으며 해당 포토공정 공부를 통해 반도체 회사에 입사할 수 있었습니다.
반도체업계 취업준비를 하고 있다면 큰 도움이 되실거에요!
목차
① Immersion Lithography(액침 노광)
② Top coat(PR위에 Coating을 하는 방식)
③ Anti-Reflective Coating(ARC)
④ Off Axis Illumination(OAI)
본문내용
이번시간은 'Photo공정상 생기는 문제극복을 위한 개발방향 1탄'에 대해서 계속 알아보겠습니다.
점점 더 Pattern을 미세화해야하는 추세에 따라
그 기술적 한계를 극복하기 위한 다양한 노광방법이 생겨났습니다.
이번시간은 다양한 미세패턴 구현 노광방법에 대해서 소개하도록 하겠습니다.
① Immersion Lithography(액침 노광)
- 액침 노광(Immersion Lithography) : Lens와 기판 사이의 매질을 공기에서 물(혹은 용매)로 바꿔서 노광하는 공정. n(굴절률) : 1 → 1.44(물)
- Immersion Lithography에 용매로 쓸 수 있는 조건
1) 매질이 빛을 흡수하면 안된다.
2) 매질이 PR에 침투하느냐(침투하면 안된다.)
3) 만약 침투하더라도 PR안에 여러 조성들에 영향을 주면 안된다.
- Immersion Lithography의 장단점
② Top coat(PR위에 Coating을 하는 방식)
- 소수성의 막을 Photoresist 위에 도포하는 방법
- 투명도 확보가 필수
1) 사용물질
- 높은 함량의 불소 치환된 고분자
- 노광 후 불소 치환된 시너를 이용하여 제거가 가능해야 함.
2) Top coat 사용의 단점
- Coating / Cleaning 공정 증가 (각각 1회 → 2회)
- Topcoat 제거용 세정제 : 고비용의 시너
→ 장기적으로는 매질이 스며들지 않는, 좋은 성능의 PR 개발 필요 (Topcoat-less PR)
③ Anti-Reflective Coating(ARC)
- DUV PR : 높은 반사도 → Standing wave effect, Poor CD Uniformity, Poor DOF Margin
- Wafer 위에 얇은 반사 방지막을 형성
- 굴절률이 서로 다른 계면에서의 재반사되는 반사광을 최소화
→ Wafer에서의 난반사 감소, Photoresist의 광흡수율 증가
참고 자료
없음
