트랜지스터의 동작 특성_예비보고서

소개글

[전기회로 및 실습] 예비보고서
1. 트랜지스터 설명 – 개념, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
2. 이미터, 베이스, 컬렉터에 대한 설명 (그림 첨부)
3. 트랜지스터 동작 원리 설명 – NPN 및 PNP
4. 트랜지스터의 증폭작용 원리 설명
5. 트랜지스터의 형식
6. 고찰
1) 이미터, 베이스 사이의 전압과 전류의 관계
2) 트랜지스터의 증폭 작용과 스위칭 작용
7. 피스파이스 시뮬레이션 결과

목차

1. 실습목표
2. 실습이론
3. 고찰
4. 피스파이스
5. 참고자료

본문내용

1. 실습목표
트랜지스터의 구조와 동작 원리를 파악하고, 실습을 통하여 트랜지스터 입력 및 출력 특성을 이해한다.

2. 실습이론
① 트랜지스터의 구조
트랜지스터
반도체 다이오드에 제3의 층을 추가하여, 전력, 전류, 또는 전압을 증폭시킬 수 있는 소자
트랜지스터는 접합 다이오드와 마찬가지로 게르마늄이나 실리콘으로 만들 수 있으나, 실리콘이 일반적이다. 다이오드에서 도핑 영역이 두 개인 데 비하여 트랜지스터는 교대로 도핑된 세 개의 영역으로 구성된다. 세 개의 영역은 두 가지 방법 중 하나로 배열된다.

방법1. NPN 트랜지스터
P형 물질을 두 개의 N형 물질 사이에 두어 NPN 트랜지스터를 형성

방법2. PNP 트랜지스터
N형 물질을 두 개의 P형 물질 사이에 삽입하여 PNP 트랜지스터를 형성

두 가지 형태의 트랜지스터에서, 가운데 영역을 베이스라 부르고, 바깥 영역을 이미터와 컬렉터라고 부른다. 이미터, 베이스, 컬렉터는 각각 E, B, C로 표시한다.

- 이미터(E): 순방향 전류를 공급해준다.
- 베이스(B): E에서 C로 흐르는 전류를 조절해준다.
- 컬렉터(C): E에서 공급한 전류를 받아들인다.

② 트랜지스터의 동작 원리
트랜지스터는 신호의 전류를 증폭하고나 신호를 스위칭 해준다.

* PNP 트랜지스터
여기에서 E-B가 하나의 다이오드를 구성하고 있으며 C-B간에도 하나의 다이오드가 되는 것을 알 수 있다. E-B간은 낮은 저항 값을 갖도록 VEE로 Forward Bias하였고, C-B간은 높은 저항 값을 갖도록 VCC 로 Reverse Bias 되어 있다.
먼저 E-B간의 전류를 구성하는 주된 전기 소자는 ‘+’ 전기를 가지고 있는 정공으로서 만일 C가 없다면 전류는 앞의 다이오드에서 설명한 바와 같이 이미터로부터 베이스로 흐르게 될 것이다. 그러나 ‘-’ 전원이 연결된 P형태의 컬렉터가 있기 때문에 정공의 흐름에 변화가 있게 된다.

참고 자료

전기전자공학개론, Earl D. Gate, 홍릉출판사, 197 - 204
http://blog.naver.com/sondows?Redirect=Log&logNo=140155520217 (다이오드의 구조)
http://fooristal.tistory.com/18 (다이오드의 동작원리)
http://terms.naver.com/entry.nhn?cid=3430&docId=923576&mobile&categoryId=3430 (증폭)
http://ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=2972 (형식)
http://minhaep.tistory.com/archive/20120513
http://minhaep.tistory.com/40 (전압전류관계)