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중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습(3-2) A+ 7차예비보고서-논리함수와 게이트

pongsilpong
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최초 등록일
2021.10.06
최종 저작일
2020.10
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소개글

"중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습(3-2) A+ 7차예비보고서_논리함수와 게이트"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 준비물

3. 설계실습 계획서
3-1 XNOR 게이트 설계 및 특성 분석
3-2 NAND 게이트 설계 및 특성 분석
3-3 4*2 디코더의 설계 및 특성 분석

본문내용

1. 실험 목적
여러 종류의 게이트의 기능을 측정하여 실험적으로 이해한다.

2. 준비물
<부품>
스위치 : 2 개
AND gate (74HC08) : 2 개
OR gate (74HC32) : 1 개
Inverter (74HC04) : 2 개
NAND gate(74HC00) : 1 개
NOR gate(74HC02) : 1 개
XOR gate (74HC86) : 1 개

<사용장비>
오실로스코프 : 1 대
브레드보드 : 1 개
파워서플라이 : 1 대
함수발생기 : 1 대
점퍼선 : 다수

<중 략>

3-2 NAND 게이트 설계 및 특성 분석
(A) Vcc 를 5V(논리값 1)에서 0V(논리값 0)로 단계적으로 변화시켜서 NAND 게이트가 동작하는 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고, 그 단계적 방법을 구체적으로 서술한다.
: 최소 정격 전압은 voltage supply 인 Vcc 를 변화시켰을 때, 논리함수의 입출력이 맞게 동작하는 최소 Vcc 전압을 구하여 알 수 있다.
이때, 우리가 사용하는 74HC00 NAND 게이트는 pull-up network 가 PMOS, pull-down network 가 NMOS 로 이루어진 complementary CMOS logic gate 이다. 따라서 Vcc 가 pull up network 의 PMOS 에게 overdrive voltage 이상의 전압을 제공하지 못한다면, PMOS 는 동작하지 않아 cut-off 가 될 것이다. 이를 바탕으로 설계 방법을 생각하자.

참고 자료

없음
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