MOSFET 공통 소스 증폭기 실험 레포트(예비,결과)

목차

1. 결과레포트
1) 실험 결과 및 고찰

2. 예비레포트
1) 실험날짜
2) 실험제목
3) 예비이론

3. 참고문헌

본문내용

- 실험 결과 및 고찰
이번 실험에서는 MOS Capacitor의 주파수에 따른 C-V 특성을 알아보는 실험을 진행하였다. 실험은 8개의 주파수로 나눠서 진행을 했으며, 결과는 다음과 같다. 결과를 한 눈에 보기 쉽게 하기 위하여 그래프를 그리게 되면, 다음과 같다.
주파수가 50Hz인 경우는 들쑥날쑥한 형태로 결과가 나왔는데, 이는 측정된 Capacitance 값이 아주 작은 단위인 pF단위로 측정되어서 오차가 심하게 느껴졌던 것 같고, 또 노이즈 발생으로 저런 값이 나온 것 같다. 50Hz를 제외한 나머지 주파수에서 C-V특성을 이론적인 내용과 일치하게 정상적으로 볼 수가 있었다. Gate Voltage가 증가할수록 Capacitance가 점점 감소하다가 특정 Voltage를 기준으로 주파수별로 크기가 달라지는 것을 확인할 수가 있다. 이때를 확대하면 다음과 같다. 약 -0.7V에서 주파수별로 Capacitance가 다르게 측정되었다. 이 때 이후로 전압이 증가하게 되면 낮은 주파수일수록 Capacitance가 급격하게 증가하고 높은 주파수일수록 Capacitance가 낮은 상태를 유지하다가 뒤늦게 점점 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이론에서 확인했던 것처럼 높은 주파수일수록 다수 캐리어가 Oxide 아래에 다시 모일 시간을 충분히 주지 못했기 때문에 이런 그래프가 나왔다는 것을 알 수 있었다. 그리고 마찬가지로 그래프의 형태로 보아서 P-type 기판을 갖는 NMOS를 이용해 실험을 진행했다는 것도 알 수 있었다.

참고 자료

http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?nav=2&id=985&m_temp1=5009
http://www.newclass.hanbat.ac.kr/ctnt/electro/download.php?code=05.01.02
전자회로 실험 PPT,김남영