전기공학실험1 4장 접합 다이오드의 특성 결과

소개글

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목차

1. 실험 목표

2. 사용 기기 및 부품

3. 실험 이론

4. 실험방법
1) 다이오드의 바이어스
2) 전압전류의 특성
3) 저항측정

5. 실험결과 및 고찰

6. 질문들
1) 접합다이오우드가 도통상태가 되기 위한 조건은 무엇인가?
2) 다이오드에서 제한조건이 있다면 무엇인가?
3) 순바이어스된 다이오드의 전압 전류 특성 곡선중 직선적인 부분은?
4) 다이오드에 캐소드와 애노드의 구별표시가 없을 때 이를 구별하는 방법을 설명하여라.
5) 다이오드의 역방향 저항대 순방향 저항비는 무엇을 의미하는가?

본문내용

1. 실험 목표
1. 순방향 및 역방향 바이어스 전압이 접합 다이오드의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
2. 접합 다이오드의 전압전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
3. 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
2. 사용 기기 및 부품
1. 전원: 가변 dc 전원 공급장치
2. 계측기: 회로 시험기
3. 저항: 2W 250옴
4. 반도체: 1N 4154, 1N 34A
5. 기타: ON/OFF 스위치
3. 실험 이론
반도체는 저항률이 도체와 절연체 사이에 존재하는 고체를 말한다. Ge, Si를 유용한 반도체 재료로서 사용하려면 순도가 99.9% 정도로 불순물을 제거하는데 이러한 반도체를 순수 반도체라 하고, 상온에서는 도전율이 낮으므로 도전율을 높이기 위해 3가나 5가의 불순물을 미소하게 첨가하여 p형 또는 n형 반도체로 만든다.
반도체에서 전류를 운반하는 캐리어는 자유전자와 정공이 있다. 한 반도체에 두 가지의 캐리어가 존재할 때 보다 훨씬 더 많이 있는 캐리어를 다수캐리어라 하고, 적게 있는 캐리어를 소수캐리어 라고 한다.
N형 반도체는 Sb, P, As와 같은 5가 원소를 진성반도체 Ge, Si 에 첨가하여 만들며, 여기서 다수 캐리어는 자유전자가 된다. P형 반도체는 B ,Ga, In과 같은 3가 원소를 진성반도체 Ge, Si 에 첨가하여 만들며, 여기에서 다수캐리어는 정공이 된다. 이와 같은 p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합되면 pn접합 다이오드가 된다. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 되는데 바로 다이오드의 주된 특성이다.
순바이어스시 다이오드는 다수캐리어의 이동에 의해 충분한 전류가 흐르고, 역바이어스시 다이오드는 소수캐리어의 이동으로 인해 미소한 누설전류만 흐르게 되고, 다이오드의 순방향 저항은 매우 작으나 역방향 저항을 대단히 커지게 된다.

참고 자료

없음