전기공학실험1 10장 BJT의 특성 및 바이어스 결과

목차

1. 실험 목표
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 이론
4. 결과 데이터
5. 결과 표
6. 질문들
7. 결과 및 고찰

본문내용

1. 실험 목표
1. 트랜지스터의 bias에 익숙시킨다.
2. 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다
3. 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 콜렉터 전류에 미치는 영향을 측정한다.
4. I(CBO) 를 측정한다.
2. 사용 기기 및 부품
1. 전원: 1.5V와 6V DC전원
2. 계측기: 2개의 (mA)전류계, VTVM, 회로시험기
3. 저항: 1/2W 100옴, 820옴
4. 반도체: 2SC1815, 2SA1015
5. 기타: 2W 2.5k옴 가변저항, 2개의 ON/OFF 스위치
3. 실험 이론
트랜지스터는 그림 10-1과 같은 구조를 갖는 3측 반도체 소자이다. pnp형과 npn형 두가지의 형의 트랜지스터가 있다. 그림 10-2는 트랜지스터의 회로기호를 표시하고 있다.

트랜지스터는 에미터, 베이스, 콜렉터 라는 3개의 단자가 있다. 이와 같은 3단자 소자를 BJT라고 하는데 쌍극성이라는 용어는 전자와 정공 두 캐리어가 트랜지스터의 동작에 관여한다는 사실에서 비롯된다.
트랜지스터가 정상동작상태에서는 활성영역에 있어야한다. 즉, 에미터접합은 순방향으로 바이어스되고 콜렉터접합은 역방향으로 바이어스된다. 활성영역에서의 pnp형 트랜지스터에 대한 각 전류성분을 그림 10-3에 나타내었다.

에미터 전류 I(E) = I(Ep) + I(En)
콜렉터 전류 I(C) = I(Cp) + I(Cn)
베이스 전류 I(B) = I(E) – I(C) = I(B1) + I(B2) – I(B3)으로 구성된다.
베이스 수송계수 α(r) = I(Cp)/I(Ep) 이상적으로는 1이다.
에미터 주입효율 Γ = I(Ep)/I(E) = I(Ep) / {(En) + I(Ep)} 이고, I(En)->0이면 Γ->1이 된다.
α(dc) = IC /I(E) = {I(Cp) +I(Cn)} / {(En) + I(Ep)} 이고, I(Cp)>>I(Cn) 이므로
α(dc) = Γ α(r) 인 관계가 있다.
β(dc) = IC /I(B) = IC / {I(E) – IC } = α(dc) / {1 - α(dc)} 만일 α(dc)->1이면, β(dc)->∞이다.

참고 자료

없음