핵심이 보이는 전자회로 10장 결과보고서

소개글

핵심이 보이는 전자회로실험
책을 두고 진행하였습니다.

목차

1. 실험 개요 및 목적
2. 실험 절차
3. 실험 회로도
4. 실험 결과 및 결과 정리
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 개요 및 목적
1-1 증가형 N-채널 MOSFET의 바이어스 회로 동작을 예측한다.
1-2 전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 R_D가 동작점에 미치는 영향을 확인한다.
1-3 자기 바이어스 회로에서 소오스 저항 R_S가 동작점에 미치는 영향을 확인한다.
N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 다음과 같다. 저항 R_1, R_2로 전원전압 V_DD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 V_GQ= V_GSQ를 생성한다. 공식으로 나타나면 다음과 같다.
V_GQ=(R_2/(R_1+R_2 )) V_DD
드레인 바이어스 전류는
I_DQ= 〖1/2 K〗_n (V_GSQ-V_(Tn ) )^2
드레인- 소스 바이어스 전압은
V_DSQ= V_DD-R_D I_DQ

N-채널 MOSFET의 자기 바이어스 회로는 다음과 같다. 위의 전압분배 바이어스 회로에 소스 저항 R_S이 추가되었다.
동작점 전압은
V_CQ=(R_2/(R_1+R_2 )) V_DD
게이트 – 소스 동작점 전압은 다음과 같다.
V_GSQ= V_GQ-R_S I_DQ
드레인 – 소스 바이어스 전압은
V_DSQ= V_DD-(R_D+R_S )I_DQ

(n-채널 MOSFET 전압분배 바이어스 회로) ( n-채널 MOSFET의 자기 바이어스 회로)

2. 실험 절차
10-1) N-채널 MOSFET 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류, 전압 측정하기

브레드보드에 부품 실장이 완료되면, 멀티미터를 저항측정 모드로 설정하고 단락, 접촉, 불량 등을 점검한다.
DC 전원공급 장치의 출력이 15V가 되도록 설정하고, 브레드보드에 인가한다.

참고 자료

없음