핵심이 보이는 전자회로실험 9장 결과보고서

소개글

핵심이 보이는 전자회로실험
책을 두고 진행하였습니다.

목차

1. 실험 개요 및 목적
2. 실험 절차
3. 실험 회로도
4. 실험 결과 및 결과 정리
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 개요 및 목적
1-1 시뮬레이션을 통해 증가형 MOSFET의 전류-전압 특성을 이해한다.
1-2 N-채널 MOSFET의 I_D- V_DS특성을 이해한다.
1-3 N-채널 MOSFET의 I_D- V_GS특성을 이해한다.
MOSFET은 Source, Drain, Gate의 3개의 단자를 갖는다. Gate는 BJT의 베이스, Source는 BJT의 이미터, Drain은 BJT의 컬렉터 단자와 대응한다. Gate의 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 Source, Drain 사이의 전류흐름이 제어된다. Source는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, Drain은 Source에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다.
V_GS≥V_Tn , V_DS≥V_GS- V_Tn= 포화모드

N-채널 MOSFET와 P-채널 MOSFET의 동작모드에 따른 Drain 전류- 전압 특성
2. 실험 절차
※ 요점만 간략히

9-1) N-채널 MOSFET의 I_D-V_DS 특성 측정하기
N채널 MOSFET의 I_D-V_DS 특성을 측정하기 위해 다음과 같은 실험회로를 구성한다.

N-채널 MOSFET의 소오스, 게이트, 드레인 단자를 잘 구별하여 소오스 단자가 왼쪽에 드레인 단자가 오른쪽에 위치하도록 브레드보드에 삽입한다.
소오스 저항 R_S ∶ MOSFET의 소오스와 접지사이에 R_S=100Ω의 저항을 연결한다. 저항 R_S 는 오실로스코프 MOSFET와 소오스 전압 V_S를 측정하기 위해 사용된다.

참고 자료

없음