FLASH MEMORY report

목차

1. Flash Memory
2. NAND&NOR Flash Memory
3. Floating Gate Flash Memory & Charge Trap Flash Memory
4. MLC Flash memory
5. 3D Flash memory
6. 참고 문헌

본문내용

1. Flash Memory
Flash Memory는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 기억 장치를 말하는데, 잘 알려진 대로 전원이 공급되지 않을 경우에 데이터가 소멸되는 Volatile Memory와는 달리 전원이 공급되지 않더라도 기존에 저장된 데이터는 그대로 존재하는 Nonvolatile Memory이다. Nonvolatile Memory의 원형은 EPROM, EEPROM로 이들을 거쳐 현재 사용되고 있는 Flash Memory의 모습으로 진화하였다. Flash memory는 구조에 따라 NOR-type과 NAND-type으로 구분되는데, 구성형태가 NAND gate, NOR gate의 pull down을 형성하는 부분의 형태가 유사한 점에서 유래되었다.

Flash Memory는 다른 memory와 같이 cell의 배열로 이루어져 있으며, flash memory cell에는 비트 저장을 위한 Floating Gate(FG)라는 Charge Storage Node가 존재한다. 0, 1의 비트 정보는 각 cell의 Tunnel Oxide양단에 고전계를 인가하여 FG로 전자를 주입시키거나(Program), 전자를 빼냄으로써(Erase) 저장된다. FG가 oxide layer에 의해 절연되어 있기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갇히게 되어 전원이 공급되지 않더라도 저장된 정보가 사라지지 않게 된다. 전자가 FG에 있을 때, Control Gate(CG)에서 나오는 전기장에 영향을 주어 cell의 Threshold Voltage가 변경된다.

참고 자료

The Institute of Electronics and Information Engineers [The Magazine of the IEIE] Volume39/Issue7/Pages.27-32/2012/1016-9288(pISSN) Choe, Gi-Hwan
The Institute of Electronics and Information Engineers [The Magazine of the IEIE] Volume 42/Issue 7/Pages.26-38/2015/1016-9288(pISSN) Lee, Hui-Yeol; Park, Seong-Gye
The Korean Institute of Electrical and Electronic [Material Engineers Electrical & Electronic Materials] Volume 30 Issue 3/ Pages.31-43/2017/1226-7937(pISSN) Kim, Yeong-Min; Yu, Eun-Seon; Lee, Jun-Su; Jo, Seong-Jae