활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성

목차

1. 목적

2. 이론
1) BJT의 물리적인 구조와 회로 기호
2) BJT 바이어싱

3. 기기 및 부품

4. 준비

5. 실험
1) 기기
2) 실험회로도
3) 브레드보드/실험대표 사진

6. PSPICE 실험결과
1) 반파 정류기의 입력 및 출력 전압 파형들
2) 반파 피크 정류기의 입력 및 출력 전압 파형들
3) 반파 피크 정류기의 입력 및 출력 전압 파형들

7. 결과 비교

본문내용

1. 목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성과 BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.

2. 이론
1) BJT의 물리적인 구조와 회로 기호
트랜지스터는 세 개의 반도체 영역, 즉 이미터 영역(n형), 베이스 영역(p형), 그리고 컬렉터 영역(n형)으로 구성된다. 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn 트랜지스터라고 부른다. npn 트랜지스터와는 상반되게 p형 이미터, n형 베이스, 그리고 p형 컬렉터로 구성된 트랜지스터를 우리는 pnp 트랜지스터라고 부른다.
트랜지스터를 증폭기로 사용하려면 이를 활성 모드에서 동작시켜야 하고, 스위치로 사용하려면 차단 모드와 포화 모드 둘 다에서 동작시켜야 한다.

2) BJT 바이어싱
Biasing이란 정상적인 동작상태가 되도록 즉 Operating Point가 되도록 일정한 직류전류를 공급하는 것이다. 이 전류는 계산할 수 있어야 하고, 예측할 수 있어야 한다. 또한, 온도 변화에 민감하지 않아야 하고, 같은 종류의 트랜지스터들 사이에 존재하는 값의 큰 변화에 대해서도 민감하지 않아야 한다.

3. 기기 및 부품
● 기기 : 멀티미터, 직류-전력 공급기
● 부품 : 저항기 - 6.8k OMEGA ,`10k OMEGA ,`100k OMEGA
트랜지스터 – 2N2222(형) 또는 2N3904(형): 실험에 사용될 BJT들의 단자 배치도를 그림에 나타냈다.

참고 자료

없음