반도체공정 레포트 - Flash memory

소개글

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목차

1. NAND type & NOR type
1) NAND type
2) NOR type
3) NAND type과 NOP type의 비교

2. Floating gate flash memory & Charge trap flash memory
1) Floating gate flash memory
2) Charge trap flash memory

3. MLC Flash memory

4. 3D Flash memory
1) Samsung
2) SK Hynix
3) Micron (2020)

5. NAND flash의 동향 (2021년)
1) Samsung
2) SK Hynix
3) Micron

6. 참고 문헌

본문내용

1. NAND type & NOR type
(1) NAND type
NAND flash는 반도체 cell이 직렬로 배열된 Flash memory의 한 종류로써, 아래와 같이 cell이 수직적으로 배열되기 때문에, 집적도가 매우 높다는 장점을 가진다.

Flash memory는 Page, Block 그리고 Plane으로 구성된다. 이때, Page는 Date의 저장의 기본 단위인 cell의 집합으로써 Read, Write 동작의 최소 단위라고 할 수 있다. 다음으로 Block은 Page의 집합으로써 Erase 동작의 최소 단위가 된다. Plane은 Block의 집합으로써 연산 처리의 단위라고 할 수 있다.

즉, Page에서부터 Bolck과 Plane이 되고, Plane이 모여 NAND flash memory chip이 된다.

이처럼 NAND flash는 NOR flash와는 달리 Address Line을 사용하지 않는다는 특성을 가지기 때문에, 해당 Line에 맞추어 Read, Write, Erase 동작이 진행된다. 다시 말해, Random access가 불가능하다. 각 cell에서 Data를 순차적으로 찾아 읽어내기 때문에, Read 동작 속도가 NOR flash memory에 비해서 느리다. 하지만, Block이 Page의 집합인만큼 각 cell의 주소를 기억할 필요가 없으므로, Write, Erase 동작 속도가 빠르다.

참고 자료

https://slideplayer.com/slide/4555042/
https://amanan1004.tistory.com/27
https://coder-in-war.tistory.com/entry/Nandflash04-%EB%82%B8%EB%93%9C%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C%EC%99%80-%EB%A
9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC%EA%B5%AC%EC%A1%B0
https://www.researchgate.net/figure/NAND-flash-chip-structure-Boxes-on-the-rightdepict-the-3-flash-key-operations-and-their_fig1_236462157
https://www.researchgate.net/figure/Comparison-of-NOR-Flash-array-and-NAND-Flasharray-architectures_fig8_265727614
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=klp0712&logNo=221078368725&proxyRef
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